一文解析功率MOS管的五种损坏模式
第一种：雪崩破坏
如果在漏极-源极间外加超出器件额定vdss的电涌电压，而且达到击穿电压v(br)dss （根据击穿电流其值不同），并超出一定的能量后就发生破坏的现象。
在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压，或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率mosfet的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。
典型电路：
第二种：器件发热损坏
由超出安全区域引起发热而导致的。发热的原因分为直流功率和瞬态功率两种。
直流功率原因：外加直流功率而导致的损耗引起的发热
●导通电阻rds(on)损耗（高温时rds(on)增大，导致一定电流下，功耗增加）
●由漏电流idss引起的损耗（和其他损耗相比极小）
瞬态功率原因：外加单触发脉冲
●负载短路
●开关损耗（接通、断开） *（与温度和工作频率是相关的）
●内置二极管的trr损耗（上下桥臂短路损耗）（与温度和工作频率是相关的）
器件正常运行时不发生的负载短路等引起的过电流，造成瞬时局部发热而导致破坏。另外，由于热量不相配或开关频率太高使芯片不能正常散热时，持续的发热使温度超出沟道温度导致热击穿的破坏。
第三种：内置二极管破坏
在ds端间构成的寄生二极管运行时，由于在flyback时功率mosfet的寄生双极晶体管运行，导致此二极管破坏的模式。
第四种：由寄生振荡导致的破坏
此破坏方式在并联时尤其容易发生
在并联功率mos fet时未插入栅极电阻而直接连接时发生的栅极寄生振荡。高速反复接通、断开漏极-源极电压时，在由栅极-漏极电容cgd(crss)和栅极引脚电感lg形成的谐振电路上发生此寄生振荡。当谐振条件(ωl=1/ωc)成立时，在栅极-源极间外加远远大于驱动电压vgs(in)的振动电压，由于超出栅极-源极间额定电压导致栅极破坏，或者接通、断开漏极-源极间电压时的振动电压通过栅极-漏极电容cgd和vgs波形重叠导致正向反馈，因此可能会由于误动作引起振荡破坏。
第五种：栅极电涌、静电破坏
主要有因在栅极和源极之间如果存在电压浪涌和静电而引起的破坏，即栅极过电压破坏和由上电状态中静电在gs两端（包括安装和和测定设备的带电）而导致的栅极破坏。
区块链的运行机制介绍
优步与其自动驾驶汽车部门进行10亿美元投资 用于开发自动驾驶技术
pcie3.0和4.0差距大吗 怎么看pcie3.0还是4.0
恒大“高举高打”的造车终于迎来了新时刻
并购传感器公司 飞利浦在智能互联路上再下一城
一文解析功率MOS管的五种损坏模式
中兴通讯联合中国移动和腾讯完成了3GPP 5G SA标准的云游戏切片演示
iPhone 11系列手机中加入U1芯片，与UWB技术有何关系
自动驾驶万亿量级市场下的“中国速度”
华为Mate9详细评测：与苹果正面PK年度旗舰 到底值得买吗？
深耕物联网感知技术，星纵物联五大感知场景带来智能新体验|直击2023深圳国际物联网展
PCB设计方案中存有的干扰信号
MSP430铁电产品的路线图原理及功能介绍
未来五年智能手表将持续增长 智能手环则几乎停滞
摩托罗拉Moto G8 Plus手机搭载骁龙665处理器，将于10月24日发布
基于超导纳米线单光子探测器的红外波段的非视距成像实现
RC电路的分类和应用
Linux下网络怎样来配置总结
对物联网安全问题保持谨慎
物联网卡批发商怎么选？
如果在漏极-源极间外加超出器件额定vdss的电涌电压，而且达到击穿电压v(br)dss （根据击穿电流其值不同），并超出一定的能量后就发生破坏的现象。
在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压，或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率mosfet的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。
典型电路：
第二种：器件发热损坏
由超出安全区域引起发热而导致的。发热的原因分为直流功率和瞬态功率两种。
直流功率原因：外加直流功率而导致的损耗引起的发热
●导通电阻rds(on)损耗（高温时rds(on)增大，导致一定电流下，功耗增加）
●由漏电流idss引起的损耗（和其他损耗相比极小）
瞬态功率原因：外加单触发脉冲
●负载短路
●开关损耗（接通、断开） *（与温度和工作频率是相关的）
●内置二极管的trr损耗（上下桥臂短路损耗）（与温度和工作频率是相关的）
器件正常运行时不发生的负载短路等引起的过电流，造成瞬时局部发热而导致破坏。另外，由于热量不相配或开关频率太高使芯片不能正常散热时，持续的发热使温度超出沟道温度导致热击穿的破坏。
第三种：内置二极管破坏
在ds端间构成的寄生二极管运行时，由于在flyback时功率mosfet的寄生双极晶体管运行，导致此二极管破坏的模式。
第四种：由寄生振荡导致的破坏
此破坏方式在并联时尤其容易发生
在并联功率mos fet时未插入栅极电阻而直接连接时发生的栅极寄生振荡。高速反复接通、断开漏极-源极电压时，在由栅极-漏极电容cgd(crss)和栅极引脚电感lg形成的谐振电路上发生此寄生振荡。当谐振条件(ωl=1/ωc)成立时，在栅极-源极间外加远远大于驱动电压vgs(in)的振动电压，由于超出栅极-源极间额定电压导致栅极破坏，或者接通、断开漏极-源极间电压时的振动电压通过栅极-漏极电容cgd和vgs波形重叠导致正向反馈，因此可能会由于误动作引起振荡破坏。
第五种：栅极电涌、静电破坏
主要有因在栅极和源极之间如果存在电压浪涌和静电而引起的破坏，即栅极过电压破坏和由上电状态中静电在gs两端（包括安装和和测定设备的带电）而导致的栅极破坏。
区块链的运行机制介绍
优步与其自动驾驶汽车部门进行10亿美元投资 用于开发自动驾驶技术
pcie3.0和4.0差距大吗 怎么看pcie3.0还是4.0
恒大“高举高打”的造车终于迎来了新时刻
并购传感器公司 飞利浦在智能互联路上再下一城
一文解析功率MOS管的五种损坏模式
中兴通讯联合中国移动和腾讯完成了3GPP 5G SA标准的云游戏切片演示
iPhone 11系列手机中加入U1芯片，与UWB技术有何关系
自动驾驶万亿量级市场下的“中国速度”
华为Mate9详细评测：与苹果正面PK年度旗舰 到底值得买吗？
深耕物联网感知技术，星纵物联五大感知场景带来智能新体验|直击2023深圳国际物联网展
PCB设计方案中存有的干扰信号
MSP430铁电产品的路线图原理及功能介绍
未来五年智能手表将持续增长 智能手环则几乎停滞
摩托罗拉Moto G8 Plus手机搭载骁龙665处理器，将于10月24日发布
基于超导纳米线单光子探测器的红外波段的非视距成像实现
RC电路的分类和应用
Linux下网络怎样来配置总结
对物联网安全问题保持谨慎
物联网卡批发商怎么选？