MOS场效应管
mos场效应管
mos场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为mosfet（metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015ω）。它也分n沟道管和p沟道管，符号如图1所示。通常是将衬底（基板）与源极s接在一起。根据导电方式的不同，mosfet又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当vgs=0时管子是呈截止状态，加上正确的vgs后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。耗尽型则是指，当vgs=0时即形成沟道，加上正确的vgs时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。
以n沟道为例，它是在p型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区n+和漏扩散区n+，再分别引出源极s和漏极d。源极与衬底在内部连通，二者总保持等电位。图1（a）符号中的前头方向是从外向电，表示从p型材料（衬底）指身n型沟道。当漏接电源正极，源极接电源负极并使vgs=0时，沟道电流（即漏极电流）id=0。随着vgs逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子，形成从漏极到源极的n型沟道，当vgs大于管子的开启电压vtn（一般约为+2v）时，n沟道管开始导通，形成漏极电流id。
国产n沟道mosfet的典型产品有3do1、3do2、3do4（以上均为单栅管），4do1（双栅管）。它们的管脚排列（底视图）见图2。
mos场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（u=q/c），将管子损坏。因此了厂时各管脚都绞合在一起，或装在金属箔内，使g极与s极呈等电位，防止积累静电荷。管子不用时，全部引线也应短接。在测量时应格外小心，并采取相应的防静电感措施。下面介绍检测方法。
1．准备工作
测量之前，先把人体对地短路后，才能摸触mosfet的管脚。最好在手腕上接一条导线与大地连通，使人体与大地保持等电位。再把管脚分开，然后拆掉导线。
2．判定电极
将万用表拨于r×100档，首先确定栅极。若某脚与其它脚的电阻都是无穷大，证明此脚就是栅极g。交换表笔重测量，s-d之间的电阻值应为几百欧至几千欧，其中阻值较小的那一次，黑表笔接的为d极，红表笔接的是s极。日本生产的3sk系列产品，s极与管壳接通，据此很容易确定s极。
3．检查放大能力（跨导）
将g极悬空，黑表笔接d极，红表笔接s极，然后用手指触摸g极，表针应有较大的偏转。双栅mos场效应管有两个栅极g1、g2。为区分之，可用手分别触摸g1、g2极，其中表针向左侧偏转幅度较大的为g2极。
目前有的mosfet管在g-s极间增加了保护二极管，平时就不需要把各管脚短路了。
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以n沟道为例，它是在p型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区n+和漏扩散区n+，再分别引出源极s和漏极d。源极与衬底在内部连通，二者总保持等电位。图1（a）符号中的前头方向是从外向电，表示从p型材料（衬底）指身n型沟道。当漏接电源正极，源极接电源负极并使vgs=0时，沟道电流（即漏极电流）id=0。随着vgs逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子，形成从漏极到源极的n型沟道，当vgs大于管子的开启电压vtn（一般约为+2v）时，n沟道管开始导通，形成漏极电流id。
国产n沟道mosfet的典型产品有3do1、3do2、3do4（以上均为单栅管），4do1（双栅管）。它们的管脚排列（底视图）见图2。
mos场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（u=q/c），将管子损坏。因此了厂时各管脚都绞合在一起，或装在金属箔内，使g极与s极呈等电位，防止积累静电荷。管子不用时，全部引线也应短接。在测量时应格外小心，并采取相应的防静电感措施。下面介绍检测方法。
1．准备工作
测量之前，先把人体对地短路后，才能摸触mosfet的管脚。最好在手腕上接一条导线与大地连通，使人体与大地保持等电位。再把管脚分开，然后拆掉导线。
2．判定电极
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3．检查放大能力（跨导）
将g极悬空，黑表笔接d极，红表笔接s极，然后用手指触摸g极，表针应有较大的偏转。双栅mos场效应管有两个栅极g1、g2。为区分之，可用手分别触摸g1、g2极，其中表针向左侧偏转幅度较大的为g2极。
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