TTL与CMOS电平的知识点
问题引入
在工作中，会遇到oc门与od门的称谓。而感性的认识一般为：od门是采用mos管搭建的电路，压（电压）控元器件。
oc门是采用晶体管搭建的电路，流（电流）控元器件。而od门的功率损耗一般是小于oc门，为什么？
电平
ttl电平：
输出电平：高电平uoh >=2.4v 低电平uol = 2.0v 低电平 uil = 0.7*vcc uil <= 0.2*vcc
备注：vcc是电源电压 gnd是数字地
cmos电路是电压控制器件，由于是压控，元器件的输入电阻较大。
由此，元器件对于干扰信号比较敏感，因为输入电阻大，干扰信号会全部输入到元器件中。
由此，cmos电路的输入端管脚，最好不要开路，给定状态，接地或者接到电压源上。
输出高低电平：ttl 输出电平容限：2.4v -0.4v= 2.0v
cmos输出电平容限：vcc （3.3v or 5v）
输入高低电平：ttl输入电平容限：2.0v-0.8v = 1.2v
cmos输入电平容限：（0.7-0.2）vcc≈（1.65v 0r 2.5v）
由此可见，cmos电路的输入输出高低电平容限较宽。
压控与流控
ttl电路是流控电路，是依靠电流起控制作用的。通过控制基极电流来控制晶体管的工作情况（发射极 集电极电流的工作情况）。
cmos电路是压控电路，依靠电压起控制作用。控制栅极与源极的电压，控制cmos工作在关断区还是截止区。
由于ttl是流控器件，电流起作用，电路的响应速度较快，状态建立时间在在5-10ns，而cmos电路是压控器件，状态建立时间25-50ns。
由建立时间可以知道，ttl电路的电流较大。由此其功耗较大。
而元器件功耗与另一因素有关。开关频率，开关频率越大，消耗的功率越大，表现为热。
注意事项：
cmos电路：
cmos电路输入端，需要确定默认状态，不能悬空，因为输入管脚对于干扰信号的很敏感，一旦悬空，很容易引入干扰。
cmos电路的输入电流不要超过1ma。不然，容易烧毁元器件。
输入端外界大电容，需要在输入端与电容间串接保护电阻，形成滤波电路，避免烧毁元器件。电阻选取原则r=v/1ma
v：外界电容的电压。
ttl电路
ttl电路输入端悬空相当于端接高电平。相当于输入端外界一个阻值无穷大的电阻。
ttl门电路的输入端串联电阻不能过大。如果过大，会引起控制逻辑混乱。即控制端是低电平。在三极管的基极被抬高为高电平。
ttl电路在截止状态下，oc门依然有电流，称为漏电流。而晶体管在截止状态下，控制电压存在，
而由于有漏电流，导致在截止状态下，依然有功率损耗。
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电平
ttl电平：
输出电平：高电平uoh >=2.4v 低电平uol = 2.0v 低电平 uil = 0.7*vcc uil <= 0.2*vcc
备注：vcc是电源电压 gnd是数字地
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由此，元器件对于干扰信号比较敏感，因为输入电阻大，干扰信号会全部输入到元器件中。
由此，cmos电路的输入端管脚，最好不要开路，给定状态，接地或者接到电压源上。
输出高低电平：ttl 输出电平容限：2.4v -0.4v= 2.0v
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输入高低电平：ttl输入电平容限：2.0v-0.8v = 1.2v
cmos输入电平容限：（0.7-0.2）vcc≈（1.65v 0r 2.5v）
由此可见，cmos电路的输入输出高低电平容限较宽。
压控与流控
ttl电路是流控电路，是依靠电流起控制作用的。通过控制基极电流来控制晶体管的工作情况（发射极 集电极电流的工作情况）。
cmos电路是压控电路，依靠电压起控制作用。控制栅极与源极的电压，控制cmos工作在关断区还是截止区。
由于ttl是流控器件，电流起作用，电路的响应速度较快，状态建立时间在在5-10ns，而cmos电路是压控器件，状态建立时间25-50ns。
由建立时间可以知道，ttl电路的电流较大。由此其功耗较大。
而元器件功耗与另一因素有关。开关频率，开关频率越大，消耗的功率越大，表现为热。
注意事项：
cmos电路：
cmos电路输入端，需要确定默认状态，不能悬空，因为输入管脚对于干扰信号的很敏感，一旦悬空，很容易引入干扰。
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输入端外界大电容，需要在输入端与电容间串接保护电阻，形成滤波电路，避免烧毁元器件。电阻选取原则r=v/1ma
v：外界电容的电压。
ttl电路
ttl电路输入端悬空相当于端接高电平。相当于输入端外界一个阻值无穷大的电阻。
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