抢先攻占IC制造商机 联电发力14纳米制程技术

联电14奈米(nm)鳍式电晶体(finfet)制程技术将于后年初开始试产。联电正全力研发新一代14奈米finfet制程技术,预计效能可较现今28奈米制程提升35~40%,可提供通讯晶片与应用处理器低功耗与高效能优势,扩大抢攻通讯与消费性电子ic制造商机。
联电执行长孙世伟表示,14奈米finfet制程技术将会是联电切入未来次世代通讯运算市场的最佳利器。
联电执行长孙世伟表示,由于晶圆从28跨入20奈米制程以下的微缩过程中,势必得使用双重曝光(doublepatterning)微影技术才能实现,而此一技术无论是微影机台或人力研发等成本都相当高昂,因此造成许多出货量不大的ic设计商不愿投资大笔资金导入,间接使20奈米市场需求无法扩大。
具备低功耗特性的finfet制程技术,尽管仍无法省去双重曝光微影技术的成本,但却能大幅提升单位面积内电晶体的整体效能,降低ic设计商因双重曝光微影技术所带来的成本冲击,因此遂成为各家晶圆代工业者争相竞逐的技术。
孙世伟进一步指出,在ibmfinfet技术授权的基础下,联电将跳过20奈米制程,直接跨入14奈米finfet制程技术,藉此为通讯与行动运算领域客户提供更具效能优势的解决方案。此一新制程目前正于南科研究中心全力研发中,预计2014年初可完成验证,并旋即进行试产。
然而,相较于台积电与格罗方德(globalfoundries)均表示将于2014年初量产16/14奈米finfet,联电量产时程显然稍慢,如何后发先至遂成为业界关注焦点。孙世伟强调,尽管联电在此一制程上的研发起步较晚,但相对finfet制程所需的机台制造技术亦较为成熟,且设备价格也较为便宜,再加上与ibm技术交流等助益,未来量产品质与时程都将可较竞争对手更符合客户需求。
另一方面,联电28奈米产品线则可望于年底量产,并于明年第一季开始贡献营收。孙世伟补充,首波28奈米porting产品在经过几个月元件及制程参数调整后,良率已获得显著提升,且公司亦于第三季成功投片(tapeout)使用28奈米后闸极(gate-last)高介电质金属闸极(hkmg)制程的行动通讯产品,并陆续与相关客户密切合作中。
据悉,目前联电晶圆厂产能利用率为84%,其中,40奈米先进制程比重持续提升中,且平均销售单价较上季攀升,并已刺激营业收入向上成长,而营收贡献亦从第二季9%成长至第三季的13%,年底前则可望到达15%。
除标准产品外,联电也开始提供适用于触控晶片领域的解决方案--embeddedflash特殊制程技术平台,并已有数家主流触控厂商开始采用,而这些特殊制程技术也可望为联电营收成长注入全新动能。
此外,对于各大晶圆厂皆预期第四季与明年初营收成长将趋缓,孙世伟表示,现今晶圆代工制造正处在库存调整及景气循环周期中,联电预估此波库存调整将持续至明年初,景气回温的脉动将取决于明年总体经济、终端产品市场需求与新产品交替力道强弱;而公司未来将持续扩大客户层面,改善产品组合,并进一步提升产能调配的弹性来降低周期性波动所带来的冲击。

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