模组uart、io、iic、spi等外围接口电平域通常为1.8v、2.8v、3v,主流单片机系统的电平域通常为3.3v和5v,当模组与单片机系统进行数据交互时,由于通信双方电平不匹配,可能导致通信失败、电流倒灌、功耗异常、电压异常等问题。为帮助客户解决此类问题,本文将介绍几种常见的电平匹配方法,建议根据实际情况具体选择。
一、直接连接方式
通信双方直连,中间串联一个限流电阻,如图1(2.8v输出与3.3v输入)。直连需满足以下要求:
①2.8v输出的voh min大于3.3v输入的vih min;
②2.8v输出的vol max小于3.3v输入的vil max。
若通信双方进行直接连接,必须仔细阅读器件规格书,了解mcu和模组的io口输入输出特性及参数;此外,当高电压系统(如5v)输出高时,还应注意低电压系统io 口的耐压值是否满足要求。
图1直接连接
二、电阻分压方式
通信双方利用电阻分压进行电平匹配,将3.3v电平转换为2.8v电平,由电阻分压公式可计算出对应阻值,如图2。应用时应注意在功耗和转换时间之间进行权衡。为了使接口电流的功耗需求最小,r18和r19应尽可能大,但寄生电容的存在会使输入信号的上升和下降时间同步增加,在通信速率较高的情况下,可能导致通信失败。
图2电阻分压
三、二极管钳位方式
通信双方利用二极管的钳位特性进行电平匹配,如图3。
①如果vin>3.3v+vf,则vout=3.3v+vf;
②如果vinvbr,vout=vbr;
②如果vin vgs on,从而使得q1导通,导通后3处的电压即和1基本等电位,故3也为低电平;
③当3为高电平时,mos管截止,1处电压经r1上拉到5v,也为高电平;
④当3为低电平时,vgs=3v,大于mos管开启电压vgson,故mos管导通,将1处电压拉低。
因mos管存在开关速度问题,故此种形式的电平转换电路速率不能过高,一般控制在1mhz以内。对于标准模式100kbit/s或快速模式400kbit/s的i2c总线,该电平转换电路不存在任何限制问题。应用时需要注意:由于体二极管的存在,电压低的io要接s极,电压高的接d极,不能接反。
图8 nmos双向电平转换
八、电平转换专用ic方式
通信双方利用电平转换芯片进行电平匹配,如图9、10。电平转换芯片有单向和双向之分,输出可分为开漏和推挽式,还有通道数可选,如单通道、双通道、四通道、八通道等,一般自带有esd保护,可靠性高。常见型号有:txs0108epwr、txb0102dcur、74lvx3245mtcx等。其优点是转换速率高,性能稳定可靠,具有esd保护,外围器件少,节省pcb空间;缺点是芯片成本较高。
图9电平转换专用ic(1)
图10电平转换专用ic(2)
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