EMC传导发射的试行计算方法介绍
电磁兼容性（emc）的计算方法和仿真中最基本的传导发射（ce：conductedemission）的试行计算方法。它与半导体集成电路（lsi）的电磁兼容性（emc）特性息息相关，即“iec61967-4标准1ω/150ω直接耦合法”。
作为电磁兼容性（emc）的国际标准，主要适用iec标准、cispr标准和iso标准。
iec是指国际电工委员会（iec：internationalelectrotechnicalcommission），上述的“1ω/150ω直接耦合法”也被称为“vde法”。
该方法是通过在半导体集成电路的接地端口连接相当于1ω电阻的网络，在电源端口及信号端口等端口连接相当于150ω电阻的网络，并且测量其频谱。但是，请注意，在电源电流较大的半导体集成电路（lsi）中，接地引脚处的1ω电阻两端产生的电压会变大，如果影响到基本运行，则不适合这种方法。有电磁干扰（发射）相关的限值，如果不在相应值范围内，就不符合标准。本来iec等标准中就规定了相应的测试方法，因此作为参考示例提供了限值。但是在一般的运用中，限值会被视为标准值。
现在让我们继续emc计算方法和emc仿真的话题。如前所述，iec61967-4标准中规定了从电磁兼容性（emc）角度是对于半导体集成电路（lsi）的电源电流和信号电流进行测量的简单方法，计算步骤如下：
①对半导体集成电路（lsi）的电源电流进行瞬态分析（transientanalysis），创建稳定的1个周期的pwl（piecewiselinear）波形。这就是之前的第16篇中提到的ia模型（internalactivitymodel）和电磁干扰（emi）模型。
②设置这个电流的pwl波形的重复值，连接规定的网络（150ω测试法为120ω+6.8nf+51ω等），进行瞬态分析，然后进行快速傅里叶变换（fft）。
③进行单位换算（dbµv）后，与标准中的限值一并体现在图表中，据此判断是否符合标准。
经过这种程度的计算处理后，我认为就可以将其创建为可在电路分析工具中使用的脚本或宏，并完成自动计算了。
另外，在进行测试时，由于会连接频谱分析仪，因此需要再连接其输入阻抗50ω后进行计算（请注意，这里容易出错！）。
如果符合标准，就“可喜可贺”，但如果不符合标准，就需要采取一些措施了，比如：改善①、即选择运行模式或重新设计硅片，更改②中取决于产品的去耦电容（cd）的种类或更改相关的值。
这次介绍的计算方法是可以通过电路分析工具尝试的方法，不需要实测值，使用简单的宏或脚本即可自动执行计算，符合iec62433标准，未使用数据同化，未使用降噪技术。下图是测试和计算用的参考图。
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①对半导体集成电路（lsi）的电源电流进行瞬态分析（transientanalysis），创建稳定的1个周期的pwl（piecewiselinear）波形。这就是之前的第16篇中提到的ia模型（internalactivitymodel）和电磁干扰（emi）模型。
②设置这个电流的pwl波形的重复值，连接规定的网络（150ω测试法为120ω+6.8nf+51ω等），进行瞬态分析，然后进行快速傅里叶变换（fft）。
③进行单位换算（dbµv）后，与标准中的限值一并体现在图表中，据此判断是否符合标准。
经过这种程度的计算处理后，我认为就可以将其创建为可在电路分析工具中使用的脚本或宏，并完成自动计算了。
另外，在进行测试时，由于会连接频谱分析仪，因此需要再连接其输入阻抗50ω后进行计算（请注意，这里容易出错！）。
如果符合标准，就“可喜可贺”，但如果不符合标准，就需要采取一些措施了，比如：改善①、即选择运行模式或重新设计硅片，更改②中取决于产品的去耦电容（cd）的种类或更改相关的值。
这次介绍的计算方法是可以通过电路分析工具尝试的方法，不需要实测值，使用简单的宏或脚本即可自动执行计算，符合iec62433标准，未使用数据同化，未使用降噪技术。下图是测试和计算用的参考图。
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