电子电路中MOS管和IGBT管的识别方法
mos管和igbt管作为现代电子设备使用频率较高的新型电子器件，因此在电子电路中常常碰到也习以为常。可是mos管和igbt管由于外形及静态参数相似的很，有时在选择、判断、使用容易出差池。mos管和igbt管可靠的识别方法为选择、判断、使用扫清障碍。
mos管即mosfet，中文名金属氧化物半导体绝缘栅场效应管。其特性，输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特性。
igbt中文名绝缘栅双极型场效应晶体管，是mos管与晶体三极管的组合，mos是作为输入管，而晶体三极管作为输出管。于是三极管的功率做的挺大，因此两者组合后即得到了mos管的优点又获得了晶体三极管的优点。
综上所述的两种晶体管，是目前电子设备使用频率很高的电子元器件，两者在外形及静态参数极其相似，某些电子产品是存在技术垄断， 在电路中有时它们的型号是被擦掉的，截止目前，它们在命名标准及型号又没有统一标准，而外型及管脚的排列相似，根本无规律可循，成为维修过程中的拦路虎，如何区分和判断成为必要手段。
带阻尼的npn型igbt管与n沟道增强型moms管的识别带阻尼的npn型igbt管与n沟道增强型moms管它们的栅极位置一样，igbt管的c极位置跟mods管的d极位置相对应，igbt管的e极位置跟mods管的s极位置相对应，对它们的好坏判断及及区分可以用动静态测量方法来完成，具体如下。
一、静态测量判断mos管和igbt管的好坏
先将两个管子的管脚短路放掉静电，mos管的d极与s极之间有个pn接，正向导通反向截止，于是有rgd=rgs=rds=无穷大，rsd=几千欧。igbt管的g极到c、e极的电阻应为无穷大，即rgc=rge=无穷大，而igbt管的之间有阻尼二极管的存在，因此具有单向导电反向截止特性，即rce=无穷大，rec=几千欧。从这里只能用万用表的电阻档判断出管子的好坏，却区分不出是那种管子。测量的阻值很小，则说明管子被击穿，测量阻值很大，说明管子内部断路。
二、动态测量区分mos管和igbt管
先用万用表给管子的栅极施加电压，使场效应管建立起沟道，然后测量d、s及c、e之间的阻值，根据阻值的差异来区分mos管和igbt管。
用万用表的电阻档测量两个管子的d、s及c、e之间的电阻，由于场效应管已经建立沟道，rds=rsd≈0，而rce之间呈现电阻rce，晶体三极管处于放大状态的导通电阻，rec为内部阻尼二极管的导通电阻，两者均为几千欧。因此根据测量可知，两个管子的导通程度不一样，mos管的d、s之间电阻值是远小于igbt管c、e之间的电阻值，于是可以分辨出mos与igbt管。
以上就是今天小编要讲的所有内容啦，有问题可留言给我们哦~
备注：本文仅作学习参考，不代表对该观点表示支持或赞同，如内容上存在争议，请及时与我们联系，谢谢！
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igbt中文名绝缘栅双极型场效应晶体管，是mos管与晶体三极管的组合，mos是作为输入管，而晶体三极管作为输出管。于是三极管的功率做的挺大，因此两者组合后即得到了mos管的优点又获得了晶体三极管的优点。
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一、静态测量判断mos管和igbt管的好坏
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二、动态测量区分mos管和igbt管
先用万用表给管子的栅极施加电压，使场效应管建立起沟道，然后测量d、s及c、e之间的阻值，根据阻值的差异来区分mos管和igbt管。
用万用表的电阻档测量两个管子的d、s及c、e之间的电阻，由于场效应管已经建立沟道，rds=rsd≈0，而rce之间呈现电阻rce，晶体三极管处于放大状态的导通电阻，rec为内部阻尼二极管的导通电阻，两者均为几千欧。因此根据测量可知，两个管子的导通程度不一样，mos管的d、s之间电阻值是远小于igbt管c、e之间的电阻值，于是可以分辨出mos与igbt管。
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