碳化硅MOSFET B2M035120YP用于太阳能逆变器
随着光伏逆变器功率等级的不断提高，光伏行业对功率器件的规格和散热要求也越来越高。相比于传统硅器件，碳化硅功率器件能带来更高的转换效率和更低的能量损耗，从而有效缩小系统体积、增加功率密度、延长器件使用寿命、降低生产成本等，在光伏行业呈现大规模应用趋势。
太阳能光伏逆变器可以实现直流电到交流电的转换，是所有光伏发电系统中最关键的部分，主要由三部分组成，mppt、直流滤波和dc-ac逆变并网，本文推荐使用基本半导体碳化硅mosfet b2m035120yp替代英飞凌的imz120r030m1h和安森美的nvh4l030n120m3s，且b2m035120yp在高温工作中会更有优势。
然而通常为了获得高发电量，逆变器效率的提高必不可少，在三相光伏逆变器上在升压部分使用1200v b2m035120yp替代普通的1200v的硅器件，相比具有相同额定值的1200v硅器件，碳化硅mosfet能效更高，具有高阻断电压的低导通电阻，系统尺寸/重量得到缩减，电力电子系统中的功率密度也有所增加。即便在高温（175°c）下运行，也能发挥一流的耐用性与卓越性能。
b2m035120yp应用领域：
开关模式电源(smps)、电源逆变器&太阳能逆变器、电机驱动器和电动汽车充电站、直流/直流转换器
该产品符合rohs标准、无铅、不含卤素，非常适用于光伏逆变器等效率、体积及发热要求较高的应用。此外，基本半导体提供各种电流电压等级的碳化硅肖特基二极管和平面、沟槽栅碳化硅mosfet，产品可应用于标准环境及高温环境，各项性能指标达到国际领先水平。
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然而通常为了获得高发电量，逆变器效率的提高必不可少，在三相光伏逆变器上在升压部分使用1200v b2m035120yp替代普通的1200v的硅器件，相比具有相同额定值的1200v硅器件，碳化硅mosfet能效更高，具有高阻断电压的低导通电阻，系统尺寸/重量得到缩减，电力电子系统中的功率密度也有所增加。即便在高温（175°c）下运行，也能发挥一流的耐用性与卓越性能。
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