MOS管导通损耗的计算方法

mos 管计算导通损耗时，应该用平均电流iavg还是用电流有效irms值呢？
先定义下相关参数，以便于后续的计算．
io -------------输出电流
ih-avg-----------上mos 管平均电流
il-avg ---------下mos 管平均电流
irms(h) --------上mos 管电流有效值
irms(l) -----------下mos 管电流有效值
d ------------------上mos 管占空比
δi --------------电感纹波电流
ron-h ---------上mos 管导通电阻
ron-l ---------下mos 管导通电阻
pon-h ---------上mos 管导通损耗
pon-l ---------下mos 管导通损耗
计算方法１： 基于平均电流
计算方法２： 基于电流有效值
下面是关于有效值和平均值的对比数据，可以直观的看出有效值比平均值大出很多．
所以两种方法计算出来的导通损耗也会差别很大，那么哪种方式是正确的呢？
mos 管导通时，等效为一个电阻rds(on), 计算损耗时是通过积分来计算的，应该用有效值来计算。
由此可见，i 为有效值的计算公式, 所以计算时应用电流有效值来计算mos管的导通损耗．
那么什么时候可以用平均电流来计算损耗呢？
其实输出整流二极管，mos体二极管的导通损耗，则是用均值来计算的．

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