Vishay推出背面绝缘的TrenchFET功率MOSFET
日前，vishay intertechnology宣布推出业界首款采用 micro foot 芯片级封装的 trenchfet 功率 mosfet --- si8422db，该器件具有背面绝缘的特点。
si8422db 针对手机、pda、数码相机、mp3 播放器及智能电话等便携设备中的功率放大器、电池和负载切换进行了优化。该器件 2-mil背面涂层可实现对 micro foot 封装的顶部绝缘，以防与便携器件中移动部件暂时接触而产生的电路短路。
此绝缘设计令该器件可用于具有非常严格的高度要求的应用，从而设计人员可灵活放置 mosfet，屏蔽、按钮或触摸屏等其他零部件可直接放置在 mosfet 的上方，这在压低上述部件空间时将进一步压缩产品的高度。此设计灵活性还可减少寄生效应，由于无需路由至 pcb 上的区域及更少的高度限制，电路布局可更好地优化。
20v n 通道 si8422db 具有 1.55mm × 1.55mm 的超小尺寸及 0.64mm 的超薄厚度。该器件提供了1.8v vgs 时 0.043 至 4.5v vgs 时 0.037 的低导通电阻范围，且最大栅源电压为 ±8 v。
目前，新型 si8422db 可提供样品，并已实现量产，大宗订单的供货周期为 10 至 12 周。
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