cmos反相器电路图大全（CD4069/振荡器/报警器传感器电路详解）
cmos反相器由一个p沟道增强型mos管和一个n沟道增强型mos管串联组成。通常p沟道管作为负载管，n沟道管作为输入管。这种配置可以大幅降低功耗，因为在两种逻辑状态中，两个晶体管中的一个总是截止的。处理速率也能得到很好的提高，因为与nmos型和pmos型反相器相比，cmos反相器的电阻相对较低。
特点 （1）静态功耗极低。在稳定时，cmos反相器工作在工作区ⅰ和工作区ⅴ，总有一个mos管处于截止状态，流过的电流为极小的漏电流。
（2）抗干扰能力较强。由于其阈值电平近似为0.5vdd，输入信号变化时，过渡变化陡峭，所以低电平噪声容限和高电平噪声容限近似相等，且随电源电压升高，抗干扰能力增强。
（3）电源利用率高。voh=vdd，同时由于阈值电压随vdd变化而变化，所以允许vdd有较宽的变化范围，一般为+3～+18v。
（4）输入阻抗高，带负载能力强。
cmos反相器电路图（一）
图1 cmos反相器电路
（1）工作原理 ①输入低电平 ui=0时，vn截止，vp导通 uo≈vdd
②输入高电平，ui=+udd，vn导通，vp截止 uo≈0v
（2）电压传输特性 （截止区）ab：ui《vtn vn截止、vp导通。
（导通区）cd：ui》vdd-vtp vn 导通、vp截止。
（转折区）bc：阈植电压：uth=1/2udd 若vi=uth=1/2udd 则id达最大。
（3）输入保护电路
图2 输入保护电路
（4）功耗 ①静态：总是一管导通一管止，漏电流很小，功耗小，只有几微瓦（ttl静态功耗单位mw）。
②动态：转换是电流大，（若工作频率高，功耗mw左右）。
（5）cmos的特点 ①微功耗小；②对电源电压适应性强（3---18v）；③抗干扰能力强； ④带负载能力强（扇出系数大于100以上）。
cmos门电路非门 驱动管并联；负载管并联；有1出0，全1出1。
图3cmos或非门
cmos反相器电路图（二） 本文介绍的是用cmos门电路产生-5v电源的实际电路，这里使用一片cmos六反相器cd4069，反相器f1和f2用以构成两级反相式阻容振荡器。r1、c1分别为振荡电阻与振荡电容。r2是偏置电阻，用于稳定f1的工作点，该振荡器输出为方波电压，取r1=52kω、c2=0.022μf时，振荡频率约为400hz。f1~f4是缓冲器，现将4个反相器作并联使用，一方面将振荡器与负载隔离，另一方面能提高方波信号的输出能力。
由c1、vd1、vd2组成半波倍压整流电路。在振荡信号的正半周，vd1导通，vd2截止，若忽略vd1的正向导通压降，则信号电压全部降落在c2上，在信号的负半周，vd1截止，vd2导通，信号电压就与c2上的电压叠加，经vd2整流后变成负极性的脉动直流电压，再经过c2滤波，获得-5v电压。
cmos反相器电路图（三） 如图是用cmos与非门构成的典型的振荡器电路。当反相器f2输出正跳时，电容ct立即使f1输入为“1”，输出为“0”。电阻rt为ct对反相器输出提供放电通路。当ct放电到f1的转折电压时（为1/2电源电压），f1输出为“1”，f2输出变为“0”。电阻rt连接在f1的输出端对ct反方向充电。当ct被充电到f1的转折电压时，f1输出为“0”，f2输出为“1”，于是形成周期性多谐振荡器。其振荡周期t=2.2rt.ct。电阻rs是反相器输入端保护电阻，接入与否并不影响振荡频率。
cmos反相器电路图（四） 如图所示是由8位移位／存储总线寄存器cd4094、ttl集电极开路六反相器7405以及9602组成的cmos报警电路，该电路主要应用于报警器传感器电路。
cmos报警电路图
当输入为低电平时，led1不亮；当ttl输入为高电平时，led1发光。当输入由高变为低或是由低变为高时，led2闪亮一下。
cmos反相器电路图（五） 一个很便宜和简单的驱虫剂，可用于大鼠，小鼠和其他动物可以使用电子下图。电路图采用cmos集成电路型4047连接功能作为一个张弛振荡器，其频率可以调整5千赫之间到30khz，电位器p1。输出q和q的每个部分，都适用于每一个非反相放大器4050型，ic2和ic3。每个集成电路的六个阶段，以并联方式连接，允许直接攻击晶体管t1/t2的分别t3/t4t1和t4或t2和t3同时进行。这些成对的晶体管能够攻击压电扬声器。
电路可提供一个15至18伏直流电压。
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（2）抗干扰能力较强。由于其阈值电平近似为0.5vdd，输入信号变化时，过渡变化陡峭，所以低电平噪声容限和高电平噪声容限近似相等，且随电源电压升高，抗干扰能力增强。
（3）电源利用率高。voh=vdd，同时由于阈值电压随vdd变化而变化，所以允许vdd有较宽的变化范围，一般为+3～+18v。
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cmos反相器电路图（一）
图1 cmos反相器电路
（1）工作原理 ①输入低电平 ui=0时，vn截止，vp导通 uo≈vdd
②输入高电平，ui=+udd，vn导通，vp截止 uo≈0v
（2）电压传输特性 （截止区）ab：ui《vtn vn截止、vp导通。
（导通区）cd：ui》vdd-vtp vn 导通、vp截止。
（转折区）bc：阈植电压：uth=1/2udd 若vi=uth=1/2udd 则id达最大。
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图2 输入保护电路
（4）功耗 ①静态：总是一管导通一管止，漏电流很小，功耗小，只有几微瓦（ttl静态功耗单位mw）。
②动态：转换是电流大，（若工作频率高，功耗mw左右）。
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图3cmos或非门
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