场效应管SI2301BDS
场效应管si2301bds
场效应管si2301bds 是vishay siliconix 的产品，它是一只p 沟道、150mw、0.8v（g-s）
mosfet 器件。mosfet 的中文全称是“金属氧化物半导体场效应晶体管”， 它是电压型控制器件。
基本参数有导通电阻rds、gs 电压vgs、漏极电流id 等，一般vgs 越大的管子rds 越小，当然
rds 越小越好，一般为几十毫欧姆。si2301bds 的vgs 为0.8v， rds 为0.1 ω左右，id 为11a，是一只性能不错的mosfet。如图：
3、工作原理：
2脚接在电池，vdd电压即为电池电压，当vdd下降到ic最低检测电压3v时，输出脚1脚输出低电平，
这时q1导通，q2栅极为高电平，q2截止，vdd_bat无电压输出，整机断电；
当vdd电压大于ic检测电压3v，1脚输出高电平，q1截止，q2栅极电压为低电平，q2导通，电池电
压从漏极输出至vdd-bat，整机通电。
另外，我们现在的x5 电路中，已经取消了低电压检测功能，q2 左边的电路空贴，电池电压直接
通过r24 的零欧电阻接到vdd_batt，由软件检测电池电压,低于3.6v 左右的时候就自动关机。
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