智能栅极驱动光耦为工业设备电气化赋能增效
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当前，我国的碳排放主要集中在工业生产活动，因此工业生产端的减碳势在必行。在探索绿色未来的进程中，工业领域的重要抓手就是利用功率器件提高电能的利用效率。为充分发挥工业设备中功率器件的作用，既要满足对更高功率密度、更高通信能力的需求，还要满足更高安全性的要求，而拥有强大功能且用途广泛的隔离产品已成为一个必不可少的先决条件。
东芝推出并已量产的智能栅极驱动光耦tlp5212正是符合这些需求的解决方案，适合驱动工业设备中的igbt、mosfet等功率器件，并具有保护功能和高度设计灵活性，有助于提高工业设备的电能利用效率。
什么是智能栅极驱动光耦
栅极驱动光耦是一种将光信号传输到栅极的集成电路（ic），在驱动igbt、mosfet栅极的同时保证光电信号的隔离。这类器件通常具有内置过电流保护功能和输出大电流的能力。用户可以根据igbt、mosfet的栅极电压区间来选择合适的产品。
而相比传统的栅极驱动光耦，智能栅极驱动光耦可以说是一个革命性的突破。它包含各种保护功能，如有源米勒钳位功能和故障输出功能，能够保护igbt免受逆变器和其他电路产生的过流的影响。
器件的基本特性
东芝tlp5212是一款高度集成的2.5 a输出电流的智能栅极驱动光耦，具有igbt退饱和检测、隔离故障状态反馈、栅极软关断、有源米勒钳位和欠压锁定（uvlo）等功能。
tlp5212内含两个红外发光二极管（led），一个高增益高速光接收ic和一个栅极驱动光接收ic芯片。该器件的原边和副边之间通过光隔离来实现输出电流的控制和故障信号的反馈功能。
东芝的tlp5212
智能栅极驱动光耦
在使用中等电压igbt或功率mosfet的逆变器等应用中，这款产品可以防止功率器件受到过流的影响。由于采用so16l薄型封装，厚度最大值为2.3 mm，tlp5212有助于提高器件在系统板上的布局自由度；尽管作为一款高度集成的器件，其爬电距离和电气间隙却同样很长，最小为8 mm，因此适用于需要高绝缘性能的应用。
tlp5212主要特性如下
• 内置保护操作及自动恢复功能
• 峰值输出电流额定值：ioph／iopl＝±2.5 a
• 内置igbt退饱和检测、过电流检测、隔离故障状态反馈和有源米勒钳位等保护功能
• 采用so16l封装，以确保8 mm（最小值）的爬电距离和电气间隙
• 5000 v绝缘电压，最高工作温度为110℃
以下是tlp5212的主要规格
（当ta＝-40°c至110°c时，除非另有规定）
功能特性分析
tlp5212符合工业设备的基本规格要求，具有多种保护功能，在简化外部电路的同时，也有助于降低用于故障检测和保护操作的栅极驱动光耦的成本。
该产品在额定工作温度内（ta＝-40℃至110℃）标定的传输延迟时间和传输延迟偏差均表现优秀，客户更容易实现系统设计。
此外，这款智能栅极驱动光耦集成了东芝自有的高度可靠、高输出功率型红外线led，通过输入边led信号从保护动作恢复到待机模式。由于改变了现有产品tlp5214和tlp5214a的输出类型，同时采用了图腾柱输出电路，tlp5212广泛适用于采用双n沟道mosfet（分别包括拉电流n沟道mosfet和灌电流n沟道mosfet）的各种工业设备，包括家用光伏发电系统以及用于恶劣工作环境的ups（不间断电源）等。
以下是tlp5212的工业逆变器igbt驱动电路示意：
工业逆变器igbt驱动电路示意
产品应用方向
tlp5212适用于使用逆变器的各种工业应用，例如工业逆变器、交流伺服驱动器、光伏逆变器、ups、bms等应用中的igbt栅极驱动器和mosfet栅极驱动器。
tlp5212的应用
东芝半导体拥有丰富的光耦产品，采用长寿命led，在使用10万小时后，发光效率仅衰减15%，而传统的led为50%。因此，东芝光电耦合器产品不仅可以延长光耦的使用寿命，也能保证光耦的稳定性。未来东芝还会推出更多出色的光耦产品，欢迎大家持续关注！
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关于东芝电子元件及存储装置株式会社
东芝电子元件及存储装置株式会社是先进的半导体和存储解决方案的领先供应商，公司累积了半个多世纪的经验和创新，为客户和合作伙伴提供分立半导体、系统lsi和hdd领域的杰出解决方案。
公司22,200名员工遍布世界各地，致力于实现产品价值的最大化，东芝电子元件及存储装置株式会社十分注重与客户的密切协作，旨在促进价值共创，共同开拓新市场，公司现已拥有超过8,598亿日元（62亿美元）的年销售额，期待为世界各地的人们建设更美好的未来并做出贡献。
如需了解有关东芝电子元件及存储装置株式会社的更多信息，请点击以下链接进行访问：https://toshiba-semicon-storage.com
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原文标题：智能栅极驱动光耦为工业设备电气化赋能增效
文章出处：【微信公众号：东芝半导体】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。
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栅极驱动光耦是一种将光信号传输到栅极的集成电路（ic），在驱动igbt、mosfet栅极的同时保证光电信号的隔离。这类器件通常具有内置过电流保护功能和输出大电流的能力。用户可以根据igbt、mosfet的栅极电压区间来选择合适的产品。
而相比传统的栅极驱动光耦，智能栅极驱动光耦可以说是一个革命性的突破。它包含各种保护功能，如有源米勒钳位功能和故障输出功能，能够保护igbt免受逆变器和其他电路产生的过流的影响。
器件的基本特性
东芝tlp5212是一款高度集成的2.5 a输出电流的智能栅极驱动光耦，具有igbt退饱和检测、隔离故障状态反馈、栅极软关断、有源米勒钳位和欠压锁定（uvlo）等功能。
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东芝的tlp5212
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在使用中等电压igbt或功率mosfet的逆变器等应用中，这款产品可以防止功率器件受到过流的影响。由于采用so16l薄型封装，厚度最大值为2.3 mm，tlp5212有助于提高器件在系统板上的布局自由度；尽管作为一款高度集成的器件，其爬电距离和电气间隙却同样很长，最小为8 mm，因此适用于需要高绝缘性能的应用。
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• 内置保护操作及自动恢复功能
• 峰值输出电流额定值：ioph／iopl＝±2.5 a
• 内置igbt退饱和检测、过电流检测、隔离故障状态反馈和有源米勒钳位等保护功能
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