一文分析2020年存储器的行业现状
近日国外咨询机构yole发布了2020年存储器行业现状调查报告，报告包括以下内容：
新增内容
分析covid-19对独立存储器市场的影响：对需求，位出货量和capex的影响
考虑到covid-19的影响以及中国新参与者的加入，对nand和dram市场的最新市场预测（2019年至2025年）
nor存储器业务概述：参与者，增长动力，与密度有关的应用程序，市场份额，asp，收入等
最新的idm领先公司的财务分析-包括三星，skhynix，kioxia，westerndigital，美光和英特尔
更新了中国存储器厂商的清单，并详细介绍了他们在dram，nand，nor和新兴nvm业务中的活动
鉴于ipo，深入了解kioxia的nand业务
主要特征
独立存储器市场和相关技术的摘要，包括nand，dram，持久性存储器，nor，（nv）sram，新兴的nvm等
描述技术趋势和挑战，扩展路线图以及独立存储技术的主要参与者概述
从系统角度分析内存市场，详细说明服务器，智能手机，个人计算机，企业/客户端ssd和车辆的当前和未来内存需求
独立存储器最重要的终端市场概况，即数据中心，移动，汽车，pc和消费类电子产品
介绍存储设备的包装解决方案，并描述新兴的包装技术和市场趋势
嵌入式内存技术概述以及在内存计算应用中的进展
独立内存供应链的映射，近期并购和合资企业的分析，值得注意的新闻清单以及2019-2020年的公司公告
报告目标
提供对独立内存技术和应用程序的了解：
具有技术节点，产品开发状态，芯片密度，扩展挑战和潜在解决方案的路线图
关键系统中的内存内容演进：服务器，智能手机，个人计算机，车辆，企业和客户端ssd
主要内存终端市场：数据中心，移动，汽车，pc和消费类电子产品
提供独立存储器业务的市场预测：
nor，（nv）sram和其他技术（包括pcm，mram和rram）的市场预测（2019年至2025年）
nand和dram的市场预测（2019年至2025年），其中包括参与者的资本支出，每位价格，市场份额，位需求，位出货量，晶圆生产等详细信息。
详细分析竞争格局：
财务分析：主要存储器公司的收入，资本支出，研发，运营成本和利润率
最近的并购，启动资金和最新的公司新闻
概述
2020年大流行期间，nand和dram将在独立存储市场推动新的增长
在诸如移动性，云计算，人工智能（ai）和物联网（iot）等重要大趋势的推动下，独立内存市场在过去十年中经历了惊人的增长。然而，这一令人兴奋的增长期于2018年第四季度结束，当时nand和dram市场均因需求疲软而开始出现供过于求的状态。这包括智能手机销售低于预期以及数据中心需求放缓。内存供应商及其oem客户的库存水平增加，2019年平均销售价格（$/gb）下降超过40％。同时，dram和nand总收入达到？106b，比2018年下降34％.2019年，dram和nand资本支出的大幅削减引发了市场复苏，该复苏始于2019年底，并一直持续到2020年。
nand和dram是无处不在的技术，一起占整个独立存储器市场的96％。因此，它们对存储器行业的整体状况和动态影响很大。但是，除了nand？？和dram外，还有各种各样的技术可以满足不同终端系统和市场的需求。nor闪存是第三大市场（2019年约为$2.3b），受到众多应用的推动，包括工业和安全性（例如监控摄像头），消费类和汽车电子产品以及电信基础设施（例如5g基站）。尽管存在一些季节性和周期性，但nor收入预计将以4％的cagr2019-2025增长。
其他技术，例如易失性和非易失性（nv）sram，铁电ram（fram）和eeprom代表着“利基”市场，这些市场是相当静态的，合计仅占独立存储器市场的约1.5％。
另一方面，新兴的非易失性存储器（nvm）技术（例如mram，pcm和rram）正在存储级存储器（scm）市场中腾飞。到2025年，他们的合并收入预计将达到约40亿美元，复合年增长率（cagr2019-2025）为40％。在这一领域，由于英特尔的参与，pcm（3dxpoint）将继续保持领先地位，直到2025年。英特尔通过optanetm非易失性内存模块领导持久性存储器业务。
中国新玩家的入驻将改变存储器市场的格局
在过去的十年中，市场集中度显着提高，现在已经非常高。三个主要的nand和dram厂商-三星，美光和skhynix-以及两个纯nand厂商kioxia和westerndigital一起占据了独立存储器市场的90％左右。预计东芝公司将以2020年10月的首次公开募股（ipo）的形式出售其所持有的40.2％的股份，以减轻其子公司kioxiaholdingscorporation的负担。但是，美国最近的限制有所加强（9月）华为（kioxia的主要客户之一）于2020年15月15日上市，以及对第二波covid-19大流行的担忧，可能促使kioxia的高管推迟了ipo的日期。kioxia在nand市场中占有第二高的市场份额，自1980年代后期发明这项技术以来，它在业界一直占有一席之地。kioxia和westerndigital的合资企业拥有业内最高的nand晶圆产能，但其营业利润率仍落后于行业领先者三星。两家公司选择采用112层（低于行业“标准”128层）和160层（相对于“标准”为176层），以提高工具的可重复使用性并节省资金。
在dram业务中，寻求通过在2019年大幅度削减资本支出（25％–30％）来寻求市场平衡。直到第三季度至19季度，供应商都计划在2020年再次减少资本支出。三星有望在2020年之前推出基于1z技术的产品。sk海力士将紧随其后。
同时，中国厂商开始威胁市场均衡，并可能引发存储器业务的深刻变化。在nand业务中，扬子存储技术有限公司（ymtc）是中国领先的存储器制造商。该公司目前正在国内小批量运送64lnand（包括ssd），预计在2021年将有128l的产品正在开发中，并计划发货。
相比之下，中国dram仍处于技术开发阶段。dram制造非常困难，中国要与整个行业实现竞争对等可能需要更长的时间。中国最先进的dram制造商长兴存储技术有限公司（cxmt）有望在2020年提高1xnm节点的产量。
对于nand，我们预计2021年ymtc的大量产量（？4％）将会进入市场，而dram则需要更长的时间。
技术节点迁移正变得越来越困难和昂贵
nand和dram的可扩展性原本应该在2020年达到顶峰，但是存储器制造商和设备制造商已经发现了新的解决方案，可以超越这一限制。新的制造技术包括自对准多重图案化，极紫外（euv）光刻和计量学，以及高纵横比（har）蚀刻，以在3dnand设备中产生接触孔。用于异构集成的新颖高级封装方法（即3d堆栈和2.5d硅中介层）使高带宽内存（hmb）能够在计算单元（cpu/gpu）和dram之间进行快速数据传输。
所有这些奇异的技术解决方案为半导体行业提供了新的机会，可以提高下一代存储设备的位密度，改善其带宽并降低其功耗和单位成本。但是，随着每一代技术的发展，比特增长变得越来越昂贵。例如，随着每个节点的迁移，dram中的多图案要求不断增加，从而导致了额外的处理步骤，因此每个生产的晶圆都有更多的洁净室空间。随着dram的缩小和缺陷可能性的增加，dram制造商正在评估从自对准多重图案转换为euv光刻的想法。值得注意的是，三星最近宣布在1x节点上出货了100万条使用euv技术制造的ddr4dram模块。
利用我们在存储器技术和相关市场方面的综合专业知识，yole推出了第二版的《存储器行业现状》报告。本报告旨在提供独立存储器市场及其竞争格局的最广泛概述，详细介绍独立存储器领域的技术挑战，机遇和趋势，包括nand，dram，nor，（nv）sram，新兴nvm，以及更多。
6.5A，2300V单通道隔离式栅极驱动器评估板（配SiC MOSFET）
土壤氧化还原电位仪是什么
区别于传统平面式 一文带你了解超级结MOSFET
可弯曲电池设计技术为苹果iOS设备带来了什么？
带隔离膜压力变送器的工作原理及设计
一文分析2020年存储器的行业现状
相比其他系统的内核设计Linux是否已经过时？
用于SS-OCT的14位数字化仪ADQ14OCT
digilentAnalog Discovery配件包简介
Linux小项目-行车记录仪项目设计
PCB layout设计要点及技巧
动环监控解决方案监测内容
EMC设计的三个规律
工业数字化转型：工业数据管理解决方案
小米平板3详细评测：游戏流畅、观感细腻
阻燃电缆和耐火电缆有那些区别
阻容降压什么吗 阻容降压原理分析
为什么终端电阻的阻值恰好是120欧姆呢？
突破性的技术革新 VR Unibloc研发出低延迟无线视频传输技术
区块链助物联网突破四大发展障碍
新增内容
分析covid-19对独立存储器市场的影响：对需求，位出货量和capex的影响
考虑到covid-19的影响以及中国新参与者的加入，对nand和dram市场的最新市场预测（2019年至2025年）
nor存储器业务概述：参与者，增长动力，与密度有关的应用程序，市场份额，asp，收入等
最新的idm领先公司的财务分析-包括三星，skhynix，kioxia，westerndigital，美光和英特尔
更新了中国存储器厂商的清单，并详细介绍了他们在dram，nand，nor和新兴nvm业务中的活动
鉴于ipo，深入了解kioxia的nand业务
主要特征
独立存储器市场和相关技术的摘要，包括nand，dram，持久性存储器，nor，（nv）sram，新兴的nvm等
描述技术趋势和挑战，扩展路线图以及独立存储技术的主要参与者概述
从系统角度分析内存市场，详细说明服务器，智能手机，个人计算机，企业/客户端ssd和车辆的当前和未来内存需求
独立存储器最重要的终端市场概况，即数据中心，移动，汽车，pc和消费类电子产品
介绍存储设备的包装解决方案，并描述新兴的包装技术和市场趋势
嵌入式内存技术概述以及在内存计算应用中的进展
独立内存供应链的映射，近期并购和合资企业的分析，值得注意的新闻清单以及2019-2020年的公司公告
报告目标
提供对独立内存技术和应用程序的了解：
具有技术节点，产品开发状态，芯片密度，扩展挑战和潜在解决方案的路线图
关键系统中的内存内容演进：服务器，智能手机，个人计算机，车辆，企业和客户端ssd
主要内存终端市场：数据中心，移动，汽车，pc和消费类电子产品
提供独立存储器业务的市场预测：
nor，（nv）sram和其他技术（包括pcm，mram和rram）的市场预测（2019年至2025年）
nand和dram的市场预测（2019年至2025年），其中包括参与者的资本支出，每位价格，市场份额，位需求，位出货量，晶圆生产等详细信息。
详细分析竞争格局：
财务分析：主要存储器公司的收入，资本支出，研发，运营成本和利润率
最近的并购，启动资金和最新的公司新闻
概述
2020年大流行期间，nand和dram将在独立存储市场推动新的增长
在诸如移动性，云计算，人工智能（ai）和物联网（iot）等重要大趋势的推动下，独立内存市场在过去十年中经历了惊人的增长。然而，这一令人兴奋的增长期于2018年第四季度结束，当时nand和dram市场均因需求疲软而开始出现供过于求的状态。这包括智能手机销售低于预期以及数据中心需求放缓。内存供应商及其oem客户的库存水平增加，2019年平均销售价格（$/gb）下降超过40％。同时，dram和nand总收入达到？106b，比2018年下降34％.2019年，dram和nand资本支出的大幅削减引发了市场复苏，该复苏始于2019年底，并一直持续到2020年。
nand和dram是无处不在的技术，一起占整个独立存储器市场的96％。因此，它们对存储器行业的整体状况和动态影响很大。但是，除了nand？？和dram外，还有各种各样的技术可以满足不同终端系统和市场的需求。nor闪存是第三大市场（2019年约为$2.3b），受到众多应用的推动，包括工业和安全性（例如监控摄像头），消费类和汽车电子产品以及电信基础设施（例如5g基站）。尽管存在一些季节性和周期性，但nor收入预计将以4％的cagr2019-2025增长。
其他技术，例如易失性和非易失性（nv）sram，铁电ram（fram）和eeprom代表着“利基”市场，这些市场是相当静态的，合计仅占独立存储器市场的约1.5％。
另一方面，新兴的非易失性存储器（nvm）技术（例如mram，pcm和rram）正在存储级存储器（scm）市场中腾飞。到2025年，他们的合并收入预计将达到约40亿美元，复合年增长率（cagr2019-2025）为40％。在这一领域，由于英特尔的参与，pcm（3dxpoint）将继续保持领先地位，直到2025年。英特尔通过optanetm非易失性内存模块领导持久性存储器业务。
中国新玩家的入驻将改变存储器市场的格局
在过去的十年中，市场集中度显着提高，现在已经非常高。三个主要的nand和dram厂商-三星，美光和skhynix-以及两个纯nand厂商kioxia和westerndigital一起占据了独立存储器市场的90％左右。预计东芝公司将以2020年10月的首次公开募股（ipo）的形式出售其所持有的40.2％的股份，以减轻其子公司kioxiaholdingscorporation的负担。但是，美国最近的限制有所加强（9月）华为（kioxia的主要客户之一）于2020年15月15日上市，以及对第二波covid-19大流行的担忧，可能促使kioxia的高管推迟了ipo的日期。kioxia在nand市场中占有第二高的市场份额，自1980年代后期发明这项技术以来，它在业界一直占有一席之地。kioxia和westerndigital的合资企业拥有业内最高的nand晶圆产能，但其营业利润率仍落后于行业领先者三星。两家公司选择采用112层（低于行业“标准”128层）和160层（相对于“标准”为176层），以提高工具的可重复使用性并节省资金。
在dram业务中，寻求通过在2019年大幅度削减资本支出（25％–30％）来寻求市场平衡。直到第三季度至19季度，供应商都计划在2020年再次减少资本支出。三星有望在2020年之前推出基于1z技术的产品。sk海力士将紧随其后。
同时，中国厂商开始威胁市场均衡，并可能引发存储器业务的深刻变化。在nand业务中，扬子存储技术有限公司（ymtc）是中国领先的存储器制造商。该公司目前正在国内小批量运送64lnand（包括ssd），预计在2021年将有128l的产品正在开发中，并计划发货。
相比之下，中国dram仍处于技术开发阶段。dram制造非常困难，中国要与整个行业实现竞争对等可能需要更长的时间。中国最先进的dram制造商长兴存储技术有限公司（cxmt）有望在2020年提高1xnm节点的产量。
对于nand，我们预计2021年ymtc的大量产量（？4％）将会进入市场，而dram则需要更长的时间。
技术节点迁移正变得越来越困难和昂贵
nand和dram的可扩展性原本应该在2020年达到顶峰，但是存储器制造商和设备制造商已经发现了新的解决方案，可以超越这一限制。新的制造技术包括自对准多重图案化，极紫外（euv）光刻和计量学，以及高纵横比（har）蚀刻，以在3dnand设备中产生接触孔。用于异构集成的新颖高级封装方法（即3d堆栈和2.5d硅中介层）使高带宽内存（hmb）能够在计算单元（cpu/gpu）和dram之间进行快速数据传输。
所有这些奇异的技术解决方案为半导体行业提供了新的机会，可以提高下一代存储设备的位密度，改善其带宽并降低其功耗和单位成本。但是，随着每一代技术的发展，比特增长变得越来越昂贵。例如，随着每个节点的迁移，dram中的多图案要求不断增加，从而导致了额外的处理步骤，因此每个生产的晶圆都有更多的洁净室空间。随着dram的缩小和缺陷可能性的增加，dram制造商正在评估从自对准多重图案转换为euv光刻的想法。值得注意的是，三星最近宣布在1x节点上出货了100万条使用euv技术制造的ddr4dram模块。
利用我们在存储器技术和相关市场方面的综合专业知识，yole推出了第二版的《存储器行业现状》报告。本报告旨在提供独立存储器市场及其竞争格局的最广泛概述，详细介绍独立存储器领域的技术挑战，机遇和趋势，包括nand，dram，nor，（nv）sram，新兴nvm，以及更多。
6.5A，2300V单通道隔离式栅极驱动器评估板（配SiC MOSFET）
土壤氧化还原电位仪是什么
区别于传统平面式 一文带你了解超级结MOSFET
可弯曲电池设计技术为苹果iOS设备带来了什么？
带隔离膜压力变送器的工作原理及设计
一文分析2020年存储器的行业现状
相比其他系统的内核设计Linux是否已经过时？
用于SS-OCT的14位数字化仪ADQ14OCT
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