瑞萨电子推出新型高压功率MOSFET产品RJK60S5DPK
瑞萨电子株式会社(以下简称瑞萨电子)推出用于电源器件的新型高压、n通道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)产品。新产品名为rjk60s5dpk，具有极高的效率，能显著降低pc服务器、通信基站以及太阳能发电系统等的功耗。
作为瑞萨电子高压功率mosfet系列的首款产品，本次的rjk60s5dpk非常适用于将交流电(ac)转换为直流电(dc)的电源主开关电路应用。其所采用的高精度超级连接结构，使其实现了高于瑞萨电子现有产品约90%的性能系数(fom，功率mosfet产品的重要性能指标)。
近年来，为降低能源消耗，电源电路的高效化需求正在不断增长。尤其是平板电视、通信基站、pc服务器、以及太阳能发电系统等高输出功率的电源开关系统，更是对电力转换效率的改善与省电性能提出了更高的要求。因此，功率mosfet产品也面临着更低的导通电阻性能需求。然而，功率mosfet的传统平面结构却限制了产品的完善空间。面对上述课题，本次瑞萨电子尝试将其长期累积的功率器件技术用于功率mosfet，利用深槽工艺，成功地开发出了高精度超级连接结构，使mosfet器件的单位面积导通电阻得到了显著的降低。
新型rjk60s5dpk功率mosfet具有以下主要优势：
(1)领先业界的低导通电阻
新型的rjk60s5dpk导通电阻仅为150mω(在id=10a，vgss=10v情况下的标准值)，比瑞萨电子现有同类产品低了约52%，有效改善电源转换时的电力损失。
(2) 高速开关
影响开关速度的首要、也是最主要的原因是功率mosfet的驱动器电容。新rjk60s5dpk的驱动器电容(栅电荷qgd)比瑞萨电子现有产品降低了约80%，成功实现了6nc(在id= 10，vgss=10伏情况下的标准值)的开关速度，实现电源转换效率的显著提升。
此外，rjk60s5dpk功率mosfet不但采用了与to-3p相同外形的标准封装，同时还采用了符合业界标准的引脚配置。这意味着它将非常易于安装在采用传统平面mosfet器件并备受业内好评的开关电源电路板上。
相比瑞萨电子原有的平面结构系列产品，采用高精密超级连接结构的功率mosfet系列产品的单位面积导通电阻降低了约80%。因此，在导通电阻相同的情况下，新产品可帮助芯片产品实现面积的缩小。例如，原先采用to-3p(15.6mm×19.9mm)封装的产品如采用本次的新功率mosfet，将可使其封装缩小到to-220fl(10mm×15mm)。这对今后瑞萨电子推广小型封装产品起到至关重要的作用。
瑞萨电子计划面向平板电视、通信基站、pc服务器等的开关电源应用，积极推广本次的新产品，以此推动终端产品的节能化发展。今后，瑞萨电子还将继续推出超低导通电阻mosfet的后续产品，以扩充系列产品线，并积极展开相应的业务扩展。
定价和供货情况
新型rjk60s5dpk功率mosfet的样品现已上市，建议零售价为每个us$5。 瑞萨电子计划于2011年4月开始实现该产品的量产，并计划到2011年10月实现月产50万个的目标.
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作为瑞萨电子高压功率mosfet系列的首款产品，本次的rjk60s5dpk非常适用于将交流电(ac)转换为直流电(dc)的电源主开关电路应用。其所采用的高精度超级连接结构，使其实现了高于瑞萨电子现有产品约90%的性能系数(fom，功率mosfet产品的重要性能指标)。
近年来，为降低能源消耗，电源电路的高效化需求正在不断增长。尤其是平板电视、通信基站、pc服务器、以及太阳能发电系统等高输出功率的电源开关系统，更是对电力转换效率的改善与省电性能提出了更高的要求。因此，功率mosfet产品也面临着更低的导通电阻性能需求。然而，功率mosfet的传统平面结构却限制了产品的完善空间。面对上述课题，本次瑞萨电子尝试将其长期累积的功率器件技术用于功率mosfet，利用深槽工艺，成功地开发出了高精度超级连接结构，使mosfet器件的单位面积导通电阻得到了显著的降低。
新型rjk60s5dpk功率mosfet具有以下主要优势：
(1)领先业界的低导通电阻
新型的rjk60s5dpk导通电阻仅为150mω(在id=10a，vgss=10v情况下的标准值)，比瑞萨电子现有同类产品低了约52%，有效改善电源转换时的电力损失。
(2) 高速开关
影响开关速度的首要、也是最主要的原因是功率mosfet的驱动器电容。新rjk60s5dpk的驱动器电容(栅电荷qgd)比瑞萨电子现有产品降低了约80%，成功实现了6nc(在id= 10，vgss=10伏情况下的标准值)的开关速度，实现电源转换效率的显著提升。
此外，rjk60s5dpk功率mosfet不但采用了与to-3p相同外形的标准封装，同时还采用了符合业界标准的引脚配置。这意味着它将非常易于安装在采用传统平面mosfet器件并备受业内好评的开关电源电路板上。
相比瑞萨电子原有的平面结构系列产品，采用高精密超级连接结构的功率mosfet系列产品的单位面积导通电阻降低了约80%。因此，在导通电阻相同的情况下，新产品可帮助芯片产品实现面积的缩小。例如，原先采用to-3p(15.6mm×19.9mm)封装的产品如采用本次的新功率mosfet，将可使其封装缩小到to-220fl(10mm×15mm)。这对今后瑞萨电子推广小型封装产品起到至关重要的作用。
瑞萨电子计划面向平板电视、通信基站、pc服务器等的开关电源应用，积极推广本次的新产品，以此推动终端产品的节能化发展。今后，瑞萨电子还将继续推出超低导通电阻mosfet的后续产品，以扩充系列产品线，并积极展开相应的业务扩展。
定价和供货情况
新型rjk60s5dpk功率mosfet的样品现已上市，建议零售价为每个us$5。 瑞萨电子计划于2011年4月开始实现该产品的量产，并计划到2011年10月实现月产50万个的目标.
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