三电平半桥拓扑采用移相控制存在的问题

开发过程中出现过模块在空载时输出电压无法稳压的现象,当时经过测试和分析,发现空载时变压器在每一个开关周期都存在两次短时间的能量传递,此部分能量会导致模块输出电压飘升直至输出过压。
切换死区后,环路计算出的占空比为0时的发波方式(图2)
在阮新波的《三电平直接变换器及其软开关技术》一书中对带载时的工作模态有很详细的分析,但对空载时的工作模态没有提及。实际上,由于空载时谐振电感没有电流,无法在mos管关断时提供前(后)桥之间交换电荷的能量,因此在空载时工作模态和带载时存在着很大的不同。下面通过分析模块在切换死区后变压器的传能过程(t1-t4,见图2),来寻找产生此问题的根本原因。模块采用的三电平半桥拓扑如图3所示,为了分析方便,已经将位号进行了标注。
采用的三电平半桥拓扑(图3)
当环路计算结果为0时,dsp发出的驱动如图2所示,传能过程发生在t1到t4这段时间,下面就来分析这段时间模块的工作状态。t1之前的初始状态:q1,q3关断,q2,q4导通,q1,q2,q3,q4这4个mos管的结电容分别为c1,c2,c3,c4,pfc母线电压为vin,vc95=vc96=vc1=vc3=vin/2,vc2=vc4=0v。
(1) t1—t2:t1时刻,q2关断。由于此时谐振电感l1并没有电流,后桥的电荷无法交换。
(2) t2—t3:t2时刻,q4关断。由于此时谐振电感l1并没有电流,前桥的电荷也无法交换。
(3) t3—t4:t3时刻,q1导通,q1两端的电容c1通过q1本体放电,vc1会很快下降到0v。这导致了整个电路的平衡被打破,会出现以下过程:
1) q4结电容充电过程。母线电压会通过q1和飞跨电容c93给c4充电,直到vc4=vin/2,电流方向如下图所示。
q4结电容充电过程(不传能)
2)q2结电容充电过程。随着q1结电容通过本体放电,c96(q1,q2回路的电压源)的电压加在了变压器的两端,并会有电流流过q1,c2和t1,直到vc2= vin/2。这个过程变压器两段存在高压和电流,从而导致变压器向副边传递能量。q1开通时刻对应着vab上升时刻;原边电流上升时刻对应着vab下降时刻,如图4所示。
q2结电容充电过程(传能过程1)
传能过程1的相关波形(图4)
3) 由于飞跨电容c93和c2,c3并联,c2电压的上升会导致c3电压的下降,即q3结电容的电荷会通过下面的回路全部释放,这个过程和传能过程1同时进行,电流的方向和传能过程1也相同,因此也会导致变压器向副边传递能量。
q3结电容放电过程(传能过程2)
(4) t4之后:t4时刻,q3开通,由于在t3-t4的传能过程中,谐振电感和隔直电容上存储了一定的能量,此能量会在下图所示的回路中自由震荡,变压器的电流方向也会正负交替。在振荡过程中,如果变压器副边的电压大于输出电压,则传能,如小于输出电压则不传能。
振荡的回路(可能传能)
t4之后的振荡波形
以上分析的是空载切换死区后t1-t4的工作状态。如不切死区,变压器仍然会传递能量:q2和q4同时关断,谐振电感没有能量,前桥和后桥的电荷不会进行交换。当q1和q3同时开通时,c1和c3的能量通过mos本体放电后,传能过程1仍然存在。因此,无论空载时切不切后桥死区,变压器向副边传能都是无法避免的。
在空载时无法稳压问题的根本原因总结如下: 对于三电平半桥拓扑,如果采用移相控制,空载时变压器向副边传能的现象是必然存在(无论是否在空载时切死区),传递的能量就会导致模块输出无法稳压的问题。能量传递的大小与输入电压和后桥结电容的大小正相关:输入电压越高,pfc母线电压越高,传能时变压器两端的电压就越大,传能越多;后桥的结电容越大,给结电容充到vin/2所需要的电流就越多,这个电流会全部通过变压器,造成传能越多。
此问题的解决方案有以下几个思路:
(1)在dcdc的输出侧增加电阻型死负载。通过死负载将这部分能量消耗掉,以实现空载时的稳压。但为了不影响额定负载时的效率,一般需要增加mos管进行切换控制。
(2)辅助电源增加从输出取电的功能。此时辅助电源相当于模块的死负载,一直加在模块的输出端。从目前来看,一次电源的模块一般都具有此功能(交流断电后模块能够和监控保持通讯);而电力电源的模块没有此功能。
(3)将移相控制改为pwm控制。在空载时,可以将一对桥臂完全关死,mos管结电容上的电荷不会发生转移,变压器也没有电流流通的回路。但pwm驱动方案的成本比较高(必须采用隔离光耦)。

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