IPM的接口电路
ipm的接口电路: 6和7单元模块
ipm的接口电路: 1和2单元模块
推荐参数
控制端子光耦选择：高速光耦，tplh,tphl 10kv/μs @ vcm= 1500v；
（推荐型号：tlp559, hcpl4503，hcpl4504）
故障端子光耦选择：低速光耦，ctr=100~200%；（推荐型号：tlp521, pc817）
高速光耦的上拉电阻：20kω(6/7单元)/6.8kω(1/2单元)；
控制电源：vd=15v±10%，dv/dt≤±5v/μs，vripple≤2vp-p；(对于6/7单元，需4个独立的隔离电源：上臂三个igbt单元各用1个电源，下臂三个igbt单元共用1个电源；对于1/2单元，需6个独立的隔离电源：各单元需自身的电源。)
上臂电源的平滑电解电容：≥10μf；
下臂电源的平滑电解电容：≥33μf；
退耦电容：0.1μf；
开关频率fpwm：15khz(典型值)，此即为控制信号的载波频率；
死区时间tdead：≥3.5μs（注：此为ipm输入端控制信号的死区时间在推荐接口电路情
况下，mcu/dsp输出的控制信号死区时间应考虑光耦的时间延迟。）
供电直流电压vcc：≤400v/800v（此即为加在p-n之间的直流母线电压）；
输入开通电平vth(on)：≤1.2v（此即为开通时ipm控制端子电平，低电压有效）；
输入关断电平vth(off)：≥4v（此即为关断时ipm控制端子电平）。
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上臂电源的平滑电解电容：≥10μf；
下臂电源的平滑电解电容：≥33μf；
退耦电容：0.1μf；
开关频率fpwm：15khz(典型值)，此即为控制信号的载波频率；
死区时间tdead：≥3.5μs（注：此为ipm输入端控制信号的死区时间在推荐接口电路情
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