两种MOS管缓启动电路讲解
mos管缓启动电路
利用的都是mos管的米勒平台效应，分为nmos和pmos两种，一般的nmos用在接地端，pmos用在电源的正端，这是由与他们的开启电压不同造成的，以nmos为例，开启电压要求vgs>vth， 当nmos的源极接地时，这个条件很好满足，只需要一个较低的电压就可以控制nmos的开启和关闭，而如果将nmos接到电源的正极部分，当nmos导通时，源极电压可以近似看成是电源电压，这时要想让nmos保持导通则必须在栅极施加一个比电源电压还要高vth的控制电压，实际应用中需要设计复杂的自举电路，因此如果没有特殊要求，电源的缓启动一般就是nmos放在地端，pmos放在源端，下面就介绍几个实用的电路。
nmos 缓启动电路
上图中的控制端口可以接mcu的一个引脚，实现上下电控制，通过更改r3和c1的大小控制开通的速度，仿真波形如下，开启时间完全可以通过软件进行仿真得到。
可以明显的看到有一个平台期。
下图是按键版本的启动电路，
也可以将按键放到和r3串联的位置，根据按键的特点和系统情况选择，上图中按键按下后电路关闭，可以通过设置r3,r5,c1的大小，调节开启和关闭的速度。
pmos启动电路
上图是典型的pmos缓启动电路，三极管的控制端可以接mcu，进行程控，通过调节r5,c2,r3,c1的大小调节开启和关闭的速度，下面是该电路的仿真，可以看到上升和下降时间基本相同。
下图是按键方式的控制，
因为pmos是高电平关闭，所以当按键关闭后电源导通。
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