SiC-SBD的可靠性试验
进行半导体元器件的评估时，电气/机械方面的规格和性能当然是首先要考虑的，而可靠性也是非常重要的因素。尤其是功率元器件是以处理较大功率为前提的，更需要具备充分的可靠性。
sic-sbd的可靠性
sic作为半导体材料的历史不长，与si功率元器件相比其实际使用业绩还远远无法超越，可能是其可靠性水平还未得到充分认识。一般人对于新事物、缺少实际业绩验证的产品都容易抱有偏见，希望下面给出的数据能够有助于解除疑虑。
在这里就sic-sbd的可靠性试验进行说明。
这是rohm的sic-sbd可靠性试验数据。首先请看一下具体的项目和条件。
对于进行过半导体的可靠性探讨和实际评估的人来说，这些标准和条件应该都是司空见惯的。基本上是遵循eiaj ed-4701的试验条件进行的试验。顺便说一下，这张表中写的是“eiaj ed-4701”，eiaj（日本电子机械工业协会）在2000年与jeida（日本电子工业振兴协会）合并成为jeita（电子信息技术产业协会）。有的标准中尚残留有“eiaj”的名称，现在“ed-4701”的正式名称是“jeita ed-4701”。右侧是jeita ed-4701/100a的封面，仅供参考。
下面言归正传。jeita ed-4701是称为“半导体器件的环境和耐久性试验方法”的标准，是用来进行工业及消费电子的半导体评估的试验方法。在日本国内是通用的标准。也就是说，从上述可靠性数据可以看出，已实施了评估的rohm的sic-sbd，在与我们熟知的si晶体管和ic可靠性试验相同的试验中，确保了充分的可靠性。
另外，关于sic-sbd，可能有人听说过有与dv/dt或di/dt相关的破坏模式。关于dv/dt，这是当被施加较大的dv/dt时，sic-sbd的外围结构被破坏的模式。不过rohm的sic-sbd，根据以往的调査，即使施加50kv/µs左右的dv/dt，也未发现该破坏模式。
关于di/dt，在si-frd中存在当di/dt较大时，恢复电流irr变大，电流集中导致破坏的模式。可能有人担心同样的模式会不会在sic-sbd中发生。在sic-sbd中，恢复电流非常小，可以认为很难发生该模式。
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