山大与南砂晶圆团队在8英寸SiC衬底位错缺陷控制方面的突破
碳化硅(sic)作为第三代半导体材料, 具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高热导率、强化学稳定性等优良特性，在电动汽车、轨道交通、高压输变电、光伏、5g 通讯等领域具有重大应用价值。在新能源产业强劲需求下，全球 sic 产业步入高速成长期，推升了对 sic 衬底产能的需求。目前商用 sic 衬底尺寸仍以 6 英寸为主，扩大 sic 衬底尺寸是增加产能供给、降低成本的重要途径之一。
近年来 sic 衬底厂商加速推进 8 英寸衬底的研发和量产进度，以抢占 8 英寸先机。行业龙头美国wolfspeed 最早在 2015 年展示了 8 英寸 sic 样品，2022 年 4 月，wolfspeed 启动了全球首家 8 英寸 sic晶圆厂。虽然起步时间相对于国外较晚，国内 8 英寸 sic 衬底研究近年来取得了显著进展，2022 年多家单位公布 8 英寸导电型 4h-sic 产品开发成功，包括山东大学、广州南砂晶圆、中科院物理研究所、山东天岳先进、山西烁科晶体、北京天科合达等单位。
8 英寸与 6 英寸 sic 晶圆的制造工艺有很大差别，当尺寸扩展到 8 英寸之后，热应力增大，缺陷控制更加困难，尤其是位错缺陷的控制与 6 英寸相比还有一定差距。
目前商用 6 英寸导电型 4h-sic衬底的 tsd 密度控制在 200 cm-2 以下，优值小于 50cm-2，bpd 密度在 800 cm-2 以下，优值小于 500 cm-2。8 英寸 sic 衬底要实现量产，提升市场份额，需要进一步降低位错缺陷密度，达到 6 英寸 sic 衬底的位错缺陷水平，尤其是对器件性能影响较大的tsd 和 bpd。
近期，山东大学与南砂晶圆半导体技术有限公司在8英寸sic衬底位错缺陷控制方面取得了重大突破，使用物理气相传输法实现了近“零螺位错（tsd）”密度和低基平面位错（bpd）密度的8英寸导电型4h-sic单晶衬底制备，其中螺位错密度为0.55 cm-2，基平面位错密度为202 cm-2。
并以“低位错密度 8 英寸导电型碳化硅单晶衬底制备（fabrication of 8-inch n-type 4h-sic single crystal substrate with low dislocation density）”为题在《无机材料学报》发表（doi: 10.15541/jim20230325）。
8英寸导电型4h-sic单晶衬底的螺位错和基平面位错密度及其分布
为制备的 8 英寸导电型 4h-sic 单晶衬底，使用熔融 koh 对衬底进行选择性蚀刻，统计 bpd 和tsd 对应的特征腐蚀坑数量，计算 bpd 和 tsd 密度。为衬底的 bpd 密度分布图，平均 bpd密度为 202 cm-2。上图给出了 tsd 密度分布图，平均 tsd 密度<1 cm-2。为不同尺寸 tsd 腐蚀坑对应的数量，其中 tsd 数量总计 42 个，测试点数 1564 个，每个点对应面积 0.0489 cm2，因此tsd 密度=42/(1564×0.0489cm2)=0.55 cm-2。
研究团队实现了近“零 tsd”和低 bpd 密度的 8 英寸导电型 4h-sic 单晶衬底制备，8 英寸 sic 单晶衬底位错缺陷的有效控制，有助于加快国产 8 英寸导电型4h-sic 衬底的产业化进程，提升市场竞争力。
作者：(熊希希，杨祥龙，陈秀芳，李晓蒙 ，谢雪健 ，胡国杰 ，彭燕 ，胡小波 ，徐现刚 )山东大学 晶体材料国家重点实验室，新一代半导体材料研究院；（于国建，王垚浩 ）广州南砂晶圆半导体技术有限公司
消息称英伟达中国特定AI芯片H20开启预售
电驱动系统将成为未来汽车产业链中的重中之重
小米计划在9月份发布一款名叫小米9S的新机支持5G网络和45W快充
接触器故障分析及处理方法
基于HT7500医用数字体温计集成电路实现测量温度计的设计
山大与南砂晶圆团队在8英寸SiC衬底位错缺陷控制方面的突破
家居行业如何借助AI营销数智化转型
进击中的大能智造
大数据是什么_大数据技术和应用的现状与前景
毫米波传感器在智能交通系统中的应用
量子计算和人工智能：应该知道的10件事
iPad版Photoshop更新可以AI抠图了
剑桥工科学生创新设计 打造“泪滴形”太阳能汽车
CANopen的起源，CANopen从何而来？
小米9将采用骁龙855处理器并拥有4800万超高像素
iPhone 15 Pro系列交货日拉长 分析师：看起来像是需求强劲
％％％100出售/收购 HP8753C HP8712C HP
医疗+AI“抗疫情”AI红外测温方案
关于频谱分析仪常见的六大问题的解答
电机分为哪几类？电机选型需要注意什么？电机正反转电路图解析
近年来 sic 衬底厂商加速推进 8 英寸衬底的研发和量产进度，以抢占 8 英寸先机。行业龙头美国wolfspeed 最早在 2015 年展示了 8 英寸 sic 样品，2022 年 4 月，wolfspeed 启动了全球首家 8 英寸 sic晶圆厂。虽然起步时间相对于国外较晚，国内 8 英寸 sic 衬底研究近年来取得了显著进展，2022 年多家单位公布 8 英寸导电型 4h-sic 产品开发成功，包括山东大学、广州南砂晶圆、中科院物理研究所、山东天岳先进、山西烁科晶体、北京天科合达等单位。
8 英寸与 6 英寸 sic 晶圆的制造工艺有很大差别，当尺寸扩展到 8 英寸之后，热应力增大，缺陷控制更加困难，尤其是位错缺陷的控制与 6 英寸相比还有一定差距。
目前商用 6 英寸导电型 4h-sic衬底的 tsd 密度控制在 200 cm-2 以下，优值小于 50cm-2，bpd 密度在 800 cm-2 以下，优值小于 500 cm-2。8 英寸 sic 衬底要实现量产，提升市场份额，需要进一步降低位错缺陷密度，达到 6 英寸 sic 衬底的位错缺陷水平，尤其是对器件性能影响较大的tsd 和 bpd。
近期，山东大学与南砂晶圆半导体技术有限公司在8英寸sic衬底位错缺陷控制方面取得了重大突破，使用物理气相传输法实现了近“零螺位错（tsd）”密度和低基平面位错（bpd）密度的8英寸导电型4h-sic单晶衬底制备，其中螺位错密度为0.55 cm-2，基平面位错密度为202 cm-2。
并以“低位错密度 8 英寸导电型碳化硅单晶衬底制备（fabrication of 8-inch n-type 4h-sic single crystal substrate with low dislocation density）”为题在《无机材料学报》发表（doi: 10.15541/jim20230325）。
8英寸导电型4h-sic单晶衬底的螺位错和基平面位错密度及其分布
为制备的 8 英寸导电型 4h-sic 单晶衬底，使用熔融 koh 对衬底进行选择性蚀刻，统计 bpd 和tsd 对应的特征腐蚀坑数量，计算 bpd 和 tsd 密度。为衬底的 bpd 密度分布图，平均 bpd密度为 202 cm-2。上图给出了 tsd 密度分布图，平均 tsd 密度<1 cm-2。为不同尺寸 tsd 腐蚀坑对应的数量，其中 tsd 数量总计 42 个，测试点数 1564 个，每个点对应面积 0.0489 cm2，因此tsd 密度=42/(1564×0.0489cm2)=0.55 cm-2。
研究团队实现了近“零 tsd”和低 bpd 密度的 8 英寸导电型 4h-sic 单晶衬底制备，8 英寸 sic 单晶衬底位错缺陷的有效控制，有助于加快国产 8 英寸导电型4h-sic 衬底的产业化进程，提升市场竞争力。
作者：(熊希希，杨祥龙，陈秀芳，李晓蒙 ，谢雪健 ，胡国杰 ，彭燕 ，胡小波 ，徐现刚 )山东大学 晶体材料国家重点实验室，新一代半导体材料研究院；（于国建，王垚浩 ）广州南砂晶圆半导体技术有限公司
消息称英伟达中国特定AI芯片H20开启预售
电驱动系统将成为未来汽车产业链中的重中之重
小米计划在9月份发布一款名叫小米9S的新机支持5G网络和45W快充
接触器故障分析及处理方法
基于HT7500医用数字体温计集成电路实现测量温度计的设计
山大与南砂晶圆团队在8英寸SiC衬底位错缺陷控制方面的突破
家居行业如何借助AI营销数智化转型
进击中的大能智造
大数据是什么_大数据技术和应用的现状与前景
毫米波传感器在智能交通系统中的应用
量子计算和人工智能：应该知道的10件事
iPad版Photoshop更新可以AI抠图了
剑桥工科学生创新设计 打造“泪滴形”太阳能汽车
CANopen的起源，CANopen从何而来？
小米9将采用骁龙855处理器并拥有4800万超高像素
iPhone 15 Pro系列交货日拉长 分析师：看起来像是需求强劲
％％％100出售/收购 HP8753C HP8712C HP
医疗+AI“抗疫情”AI红外测温方案
关于频谱分析仪常见的六大问题的解答
电机分为哪几类？电机选型需要注意什么？电机正反转电路图解析