PWM控制型IGBT的EMI工程估算与基本原理分析

0. 概述
pwm控制型igbt工作在斩波模式,使得igbt本身自带干扰源属性,自扰与互扰系统中的其他设备。
随着近几年功率半导体器件的发展,像sic、gan等半导体器件的出现,提升开关速率降低了损耗,但却带来了emi的巨大挑战。
以三相ac380v输入驱动器的轻载低频运行为例,其整流母线电压为dc513v左右,vce的turn on/off时间达到了ns级,产生dv/dt约为几kv/us ~几十kv/us,dv/dt在回路中产生的共模噪声电流为几十a甚至100a以上,严重干扰周围设备,仅从路径上去抑制,需要付出巨大的滤波成本,所以igbt的emi抑制一直是业界的关注点。
1. 驱动器共模噪声的回路示意图
干扰路径示意图
cm测量示意图
参数说明:
滤波电容:x电容cx和y电容cy;分布电容:以电机绕组与机壳地间的分布电容cm为主,其他分布电容未画出。共模噪声电流:icm。2. 驱动器噪声电流及场强估算
示例:cx=1uf,cy=0.1uf,cm=10nf,vdc=500v,tr=50ns,电机线长度1m;
(1)共模点估算:
icm电流波形示意图
(2)3m远处共模辐射场强估算:
由估算结果可知,共模电流峰值达到了百安级,3m远处电场强度达到了90db,在产品认证及实际应用中需要付出更多的抑制代价。
3. 原理分析
共模电压等效简化电路
vcm共模电压波形示意图
三相pwm脉冲之和不为0而形成的四电平阶梯波是产生驱动器共模干扰的本质原因。共模电压:
igbt的vce频谱特性:
vce梯形波
梯形波频谱
4. 改变vce的高频部分的频谱特性有二种方法
(1)改变幅值(b→a,使得f3→f1偏移)
幅值对频谱的影响
(2)改变turn on/off时间(图5:1/πtr→1/πtr1,使得 f1→f2偏移)
tr时间对频谱的影响
在实际应用中很难去改变幅值,所以把改变vce频率特性的重任交给了turn on/off时间(也就是改变vce的dv/dt)。

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