基本半导体推出UPS的碳化硅MOSFET模块BMF240R12E2G3
众所周知，碳化硅mosfet具有优秀的高频、高压、高温性能，是目前电力电子领域最受关注的宽禁带功率半导体器件。在电力电子系统中应用碳化硅mosfet器件替代传统硅igbt器件，可提高功率回路开关频率，提升系统效率及功率密度，降低系统综合成本。
基本半导体第二代碳化硅mosfet系列新品基于6英寸晶圆平台进行开发，比上一代产品在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面表现更为出色。在原有to-247-3、to-247-4封装的产品基础上，基本半导体还推出了带有辅助源极的to-247-4-plus、to-263-7及sot-227封装的碳化硅mosfet器件，可以更好地满足应用需求。
基本半导体第二代碳化硅mosfet亮点：
更低比导通电阻：第二代碳化硅mosfet通过综合优化芯片设计方案，比导通电阻降低约40%，产品性能显著提升。
更低器件开关损耗：第二代碳化硅mosfet器件qg降低了约60%，开关损耗降低了约30%。反向传输电容crss降低，提高器件的抗干扰能力，降低器件在串扰行为下误导通的风险。
更高可靠性：第二代碳化硅mosfet通过更高标准的htgb、htrb和h3trb可靠性考核，产品可靠性表现出色。
更高工作结温：第二代碳化硅mosfet工作结温达到175°c，提高器件高温工作能力。
基本半导体推出兼容easypack™ 2b封装的工业级全碳化硅mosfet功率模块pcore™2 e2b，该产品基于高性能6英寸晶圆平台设计，在比导通电阻、开关损耗、抗误导通、抗双极性退化等方面表现出色。
bmf240r12e2g3产品优势：
更稳定导通电阻：新型内部构造极大抑制了碳化硅晶体缺陷引起的rds(on)波动。
更优异抗噪特性：宽栅-源电压范围（vgss: -10v~+25v），及更高阈值电压范围（vth: 3v~5v），便于栅极驱动设计。
更高可靠性：高性能氮化硅amb陶瓷基板及高温焊料引入，改善长期高温度冲击循环的cte失配。
应用领域：燃料电池dcdc、数据中心ups、大功率快速充电桩等。
注：如涉及作品版权问题，请联系删除。
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更高可靠性：第二代碳化硅mosfet通过更高标准的htgb、htrb和h3trb可靠性考核，产品可靠性表现出色。
更高工作结温：第二代碳化硅mosfet工作结温达到175°c，提高器件高温工作能力。
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更稳定导通电阻：新型内部构造极大抑制了碳化硅晶体缺陷引起的rds(on)波动。
更优异抗噪特性：宽栅-源电压范围（vgss: -10v~+25v），及更高阈值电压范围（vth: 3v~5v），便于栅极驱动设计。
更高可靠性：高性能氮化硅amb陶瓷基板及高温焊料引入，改善长期高温度冲击循环的cte失配。
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注：如涉及作品版权问题，请联系删除。
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