MOS晶体管的静态特性(一)
目前mosfet仍是数字集成电路广泛使用的器件，根据mos管的静态模型，以nmos为例，分析其电流电压特性。 器件部分涉及到很多半导体物理、器件物理相关知识，暂不深入探究，mos管的基本结构如图所示。
mos管强反型发生时vgs的值称为阈值电压vt。
强反型的发生：假设源、漏均接地，当栅电压开始为正时，与sio2接触的硅表面多子（空穴）减少； 当栅电压升高，空间电荷区（也称耗尽层）开始出现； 栅电压继续升高到硅表面的电势达到临界值，出现强反型，发生的电压等于两倍的费米电势。
不同偏置条件下的阈值电压：
参数γ称为体效应（衬偏效应）系数，表明v某人的影响。 说明一点，源、漏极取决于两边电压的高低，在反型后多子流出的称为源极（source），流入的称为漏极（drain）。
假设v 一般事务人员 >v t ，在漏区和源区之间加上一个小电压v ds 。
在沟道的x处，电压为v(x)，栅至沟道的电压为v 一般事务人员 -v(x)。 处于电阻工作区，电压在整个沟道超过了阈值电压，x点所感应出单位面积沟道电荷：
qi（x） = –cox [vgs – v（x） – vt]
式中，c牛为栅氧的单位面积电容。
电流是载流子的漂移速度un与存在电荷的乘积：
id = –a（x）qi（x）w
式中，w是垂直于电流方向的沟道宽度。 电子通过的速度与迁移率的参数mn和电场相关。
所以，联合上面两式，可以得出：
iddx = uncoxw（vgs–v – vt）dv
mos晶体管的输出电流－电压特性的经典萨氏方程：
kn'称为工艺跨导参数，为：
当vds值的值较小时，平方项可忽略，vds和id之间呈线性关系。
漏源电压进一步提高时，沟道全长中的部分电压可能出现小于阈值电压的情况：
此时导电沟道开始出现夹断的现象，晶体管处于饱和区。 此时沟道上的夹断点到源的电压差固定为vgs-vt，电流保持稳定值（饱和），漏电流与控制电压vgs之间存在平方关系：
沟道长度调制：在饱和模式下，增加vds将使漏结的耗尽区加大，缩短了有效沟道的长度。
λ称为沟长调制系数，一般与沟长成反比。
上拉电阻与下拉电阻的概念详解
无线充电技术继续向前发展
大容量高速率FPGA产品测试综合方案
金鉴实验室AEC-Q102认证
小米全面屏电视E55C评测 新的家庭智能终端入口
MOS晶体管的静态特性(一)
基于RockPi 4A单板Linux 4.4内核介绍RK3399看门狗的调试方法
汽车安全团体发布了自动驾驶汽车立法大纲
华为尚无计划加入O-RAN联盟
如何用新颖的方式使用区块链技术2.0
谷歌、IBM、微软的人工智能处理器
C进阶技巧：二级指针问题
CEVA音频前端软件解决方案通过Alexa语音服务（AVS）认证
第82届中国电子展今天在沪开幕
是德科技PCIe5.0协议分析仪荣获全球电子成就奖
基于RFID 系统的 CNG 车辆的安全性和准确性套件开发设计
CRT及液晶电视长寿秘籍
伟烽恒多种传感器产品目前正用于各种应用
大功率可调稳压电源是如何工作的呢?
ESP8266开发板+机智云IoT+远程控制的智能风扇
mos管强反型发生时vgs的值称为阈值电压vt。
强反型的发生：假设源、漏均接地，当栅电压开始为正时，与sio2接触的硅表面多子（空穴）减少； 当栅电压升高，空间电荷区（也称耗尽层）开始出现； 栅电压继续升高到硅表面的电势达到临界值，出现强反型，发生的电压等于两倍的费米电势。
不同偏置条件下的阈值电压：
参数γ称为体效应（衬偏效应）系数，表明v某人的影响。 说明一点，源、漏极取决于两边电压的高低，在反型后多子流出的称为源极（source），流入的称为漏极（drain）。
假设v 一般事务人员 >v t ，在漏区和源区之间加上一个小电压v ds 。
在沟道的x处，电压为v(x)，栅至沟道的电压为v 一般事务人员 -v(x)。 处于电阻工作区，电压在整个沟道超过了阈值电压，x点所感应出单位面积沟道电荷：
qi（x） = –cox [vgs – v（x） – vt]
式中，c牛为栅氧的单位面积电容。
电流是载流子的漂移速度un与存在电荷的乘积：
id = –a（x）qi（x）w
式中，w是垂直于电流方向的沟道宽度。 电子通过的速度与迁移率的参数mn和电场相关。
所以，联合上面两式，可以得出：
iddx = uncoxw（vgs–v – vt）dv
mos晶体管的输出电流－电压特性的经典萨氏方程：
kn'称为工艺跨导参数，为：
当vds值的值较小时，平方项可忽略，vds和id之间呈线性关系。
漏源电压进一步提高时，沟道全长中的部分电压可能出现小于阈值电压的情况：
此时导电沟道开始出现夹断的现象，晶体管处于饱和区。 此时沟道上的夹断点到源的电压差固定为vgs-vt，电流保持稳定值（饱和），漏电流与控制电压vgs之间存在平方关系：
沟道长度调制：在饱和模式下，增加vds将使漏结的耗尽区加大，缩短了有效沟道的长度。
λ称为沟长调制系数，一般与沟长成反比。
上拉电阻与下拉电阻的概念详解
无线充电技术继续向前发展
大容量高速率FPGA产品测试综合方案
金鉴实验室AEC-Q102认证
小米全面屏电视E55C评测 新的家庭智能终端入口
MOS晶体管的静态特性(一)
基于RockPi 4A单板Linux 4.4内核介绍RK3399看门狗的调试方法
汽车安全团体发布了自动驾驶汽车立法大纲
华为尚无计划加入O-RAN联盟
如何用新颖的方式使用区块链技术2.0
谷歌、IBM、微软的人工智能处理器
C进阶技巧：二级指针问题
CEVA音频前端软件解决方案通过Alexa语音服务（AVS）认证
第82届中国电子展今天在沪开幕
是德科技PCIe5.0协议分析仪荣获全球电子成就奖
基于RFID 系统的 CNG 车辆的安全性和准确性套件开发设计
CRT及液晶电视长寿秘籍
伟烽恒多种传感器产品目前正用于各种应用
大功率可调稳压电源是如何工作的呢?
ESP8266开发板+机智云IoT+远程控制的智能风扇