飞宏新推出的65W 2C1A USB PD适配器采用Transphorm的氮化镓技术
transphorm用于低功耗应用的高可靠性器件能简化电源系统的开发，减少元件数量；是18亿美元规模的适配器市场的成熟解决方案。
加州戈利塔 -- (新闻稿)--高可靠性、高性能氮化镓(gan)电源转换产品的先锋和全球供应商transphorm, inc. (nasdaq: tgan)宣布，全球电源产品和电动汽车充电站供应商飞宏(phihong)新推出的65w 2c1a usb pd适配器采用了该公司的氮化镓技术。这款适配器采用transphorm的supergan®第四代技术，这是一种氮化镓场效应管(fet)平台，具有以下优点：系统设计简单，元件数量少，性能更高，可靠性一流。
飞宏的65w适配器外形小巧(51 x 55.3 x 29 mm)，配备两个usb-c端口和一个usb-a端口(2c1a)，可同时为三台设备充电。这款充电器采用了单个650v supergan器件tp65h300g4lsg，与采用准谐振反激模式(qrf)拓扑结构的硅解决方案相比，功率损失可减少约17%。该适配器还提供高达65w的usb pd和pps功能。
tp65h300g4lsg是一款240毫欧、通过jedec认证的pqfn88表面贴装器件，具有±18v栅极安全裕度。fet是建立在qrf、有源钳位反激模式(acf)或llc谐振拓扑结构上的150w或以下低功率应用的理想选择。
transphorm的tp65h300g4lsg具有与硅类似的阈值水平和高栅极击穿电压（最大±18 v）。它可以与现成的控制器（包括带有集成驱动器的控制器）配合使用，无需负偏置电压。这些功能可简化电源系统的设计；消除对额外外围电路的需求，从而减少元件数量；同时还能增加整个系统的可靠性——这些都是飞宏决定采用transphorm fet的关键原因。
飞宏生产制造各种备受电子设备公司信赖的可靠电源解决方案。公司对氮化镓功率密度优势的理解让其决定打造新的氮化镓适配器。transphorm的氮化镓fet具有简单可设计性和可驱动性，并且具有高栅极鲁棒性，因此飞宏很快决定选择transphorm作为其氮化镓器件合作伙伴。
根据facts and factors近期发布的一份报告，预计到2026年全球交流转直流适配器市场规模将达到18.54亿美元，年复合增长率为12.7%。transphorm最近也在5月份的报告中称，其240毫欧器件的发展势头正在不断加强，公司获得了亚洲大型手机(65w)项目和领先的ww电子零售商(140w)项目的odm预生产订单。此外，该公司的市场份额增长还得益于成功赢得一家《财富》100强头部企业的另一项笔记本适配器设计项目，其中包括5万个supergan® 240毫欧fet的初始采购订单。这些fet可以为65w快充适配器应用提供更高的效率，而竞争对手的e-mode氮化镓fet则需要更大的150毫欧器件来满足类似应用的需求。因此，这些transphorm supergan® fet使客户能够利用更小的器件实现更强的性能。
transphorm亚太区销售副总裁kenny yim表示：“我们的supergan平台从一开始就围绕四大关键原则打造：可靠性、可设计性、可驱动性和可重复性。我们的240毫欧器件也不例外。我们让适配器制造商能够设计出体积小、重量轻、发热少的产品，并提供前沿的先进usb充电功能。这些创新正在推动全球适配器市场对氮化镓的采用，使我们有能力通过大批量生产能力支持高性能的解决方案，从而巩固我们的市场地位。”
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tp65h300g4lsg是一款240毫欧、通过jedec认证的pqfn88表面贴装器件，具有±18v栅极安全裕度。fet是建立在qrf、有源钳位反激模式(acf)或llc谐振拓扑结构上的150w或以下低功率应用的理想选择。
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