STT结构涡轮增压MRAM的分析，它的潜力究竟有多大
新兴mram市场的主要参与者之一已经开发了专有技术，该技术表示将通过增加保持力并同时降低电流来增强任何mram阵列的性能。自旋转移技术（stt）的进动自旋电流（psc）结构，它有潜力提高mram的密度和零泄漏能力。该结构可以应用于移动，数据中心cpu和存储，汽车，物联网和（iot）以及人工智能等领域。
psc结构将使任何mram器件的自旋扭矩效率提高40％至70％。这意味着它不仅具有更高的数据保留能力，而且将消耗更少的电量。pinarbasi说，增益转化为保留时间延长了10，000倍以上，因此一小时变成一年以上，但是写入电流却减少了。此外，随着垂直磁隧道结（pmtj）变小，psc的效率更高。开发的结构是模块化结构，实际上是pmtj设备的扩展。
其进动自旋电流结构可将任何mram器件的自旋扭矩效率提高40％至70％。从一开始就设计了这种模块化的方法。这意味着可以将psc添加到其他任何人的pmtj中。可以将其视为现有mram实现的涡轮增压器。
psc结构被设计成可以整合到任何mram制造商的现有工艺中。除了在stt-mram生产中已经使用的材料或工具外，没有其他材料或工具，因此该结构实际上不会增加铸造厂的复杂性或成本。在psc结构中，有两个特定的作用正在起作用。一个是静态的，另一个是动态的。静电效应可以大大提高设备的保持力。
动态效应会从零切换到一，反之亦然，这很重要，因为静态保持力和电流之间始终存在相关性。将这两种影响分开了。可以独立地提高保留率，同时降低电流。尽管psc结构使stt-mram能够解决sram的尺寸和成本缺陷，以及dram的易变性和功耗复杂性，但stt不仅将支持psc的mram视为现有存储技术的替代品，还可以使用它。 这为物联网，汽车和ai带来了新的机遇。
对于给定电流，psc结构可提供显着的速度增益。当使用4kbit芯片和40nm器件尺寸时，在125μa时，psc速度为〜4 ns，而pmtj速度为〜30ns。
总体而言，将会有针对mram开发的本地市场，特别是嵌入式应用程序，并且已经取代了可能是sram或设备内部不同内存缓存的产品。由于这些设备及其非易失性存储功能，市场份额将发生变化，但新的市场发展也将发生。
虽然mram已经确立了自己在存储器设备未来的重要地位，但它仍处于初期阶段，mram仍主要用于利基应用中。时间将证明spin transfer的psc结构将产生多大影响。绝对有必要制造出比传统mram产品更紧凑的结构，并且可以进一步扩展。必须彻底解决问题，看看它在实践中如何工作。
将有很多mram产品可用，尤其是随着代工厂和主要的半导体公司的兴起，并将重点放在嵌入式市场上。人们将寻求差异化，以便使他们寻找减轻他们可以在这些产品中使用的技术的方法，从而使自己与其他人的产品区分开。在这种环境中存在一些潜在的近期机会。展望五年，mram将是一个更大的利基市场。
everspin是设计制造和商业销售离散和嵌入式磁阻ram（mram）和自旋传递扭矩mram（stt-mram）的全球领导者，其市场和应用领域涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。everspin mram在数据中心，云存储，能源，工业，汽车和运输市场中部署了超过1.2亿个mram和stt-mram产品，为全球mram用户奠定了最强大，增长最快的基础。everspin代理商宇芯电子可提供专业的技术支持及产品应用解决方案。
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其进动自旋电流结构可将任何mram器件的自旋扭矩效率提高40％至70％。从一开始就设计了这种模块化的方法。这意味着可以将psc添加到其他任何人的pmtj中。可以将其视为现有mram实现的涡轮增压器。
psc结构被设计成可以整合到任何mram制造商的现有工艺中。除了在stt-mram生产中已经使用的材料或工具外，没有其他材料或工具，因此该结构实际上不会增加铸造厂的复杂性或成本。在psc结构中，有两个特定的作用正在起作用。一个是静态的，另一个是动态的。静电效应可以大大提高设备的保持力。
动态效应会从零切换到一，反之亦然，这很重要，因为静态保持力和电流之间始终存在相关性。将这两种影响分开了。可以独立地提高保留率，同时降低电流。尽管psc结构使stt-mram能够解决sram的尺寸和成本缺陷，以及dram的易变性和功耗复杂性，但stt不仅将支持psc的mram视为现有存储技术的替代品，还可以使用它。 这为物联网，汽车和ai带来了新的机遇。
对于给定电流，psc结构可提供显着的速度增益。当使用4kbit芯片和40nm器件尺寸时，在125μa时，psc速度为〜4 ns，而pmtj速度为〜30ns。
总体而言，将会有针对mram开发的本地市场，特别是嵌入式应用程序，并且已经取代了可能是sram或设备内部不同内存缓存的产品。由于这些设备及其非易失性存储功能，市场份额将发生变化，但新的市场发展也将发生。
虽然mram已经确立了自己在存储器设备未来的重要地位，但它仍处于初期阶段，mram仍主要用于利基应用中。时间将证明spin transfer的psc结构将产生多大影响。绝对有必要制造出比传统mram产品更紧凑的结构，并且可以进一步扩展。必须彻底解决问题，看看它在实践中如何工作。
将有很多mram产品可用，尤其是随着代工厂和主要的半导体公司的兴起，并将重点放在嵌入式市场上。人们将寻求差异化，以便使他们寻找减轻他们可以在这些产品中使用的技术的方法，从而使自己与其他人的产品区分开。在这种环境中存在一些潜在的近期机会。展望五年，mram将是一个更大的利基市场。
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