晶体管电子滤波器
晶体管电子滤波器
在很多电子电路中,特别是一些小信号放大电路,其电源往往会加入一级晶体管电子滤波器,其电路结构如图j1,设图的右边是一个与电子滤波效果一样的普通rc滤波电路,则它们有以下关系:图的左边 uec=ib*r1+ueb=ib*r1
因为iec=β*ib (β为晶体管的直流放大系数)
所以有uec=(iec/β)*r1
图的右边uec=rec*iec 由于左右图互相等效所以有
rec*iec=(iec/β)*r1得rec=r1/β
两滤波器的滤波性能一般用r与c的乘积来衡量,所以有:
r1*c1=rec*c1'=(r1/β)*c1'
c1=c1'/β
由上式可知,电子滤波器所需的电容c1比一般rc滤波器所需电容少β倍.打个比方设晶体管的直流放大系数β=100,如果用一般rc滤波器所需电容容量为1000μf,如采用电子滤波器那么电容只需要10μf就满足要求了.场效应管
现在越来越多的电子电路都在使用场效应管,特别是在音响领域更是如此,场效应管与晶体管不同,它是一种电压控制器件(晶体管是电流控制器件),其特性更象电子管,它具有很高的输入阻抗,较大的功率增益,由于是电压控制器件所以噪声小,其结构简图如图c-a.
场效应管是一种单极型晶体管,它只有一个p-n结,在零偏压的状态下,它是导通的,如果在其栅极(g)和源极(s)之间加上一个反向偏压(称栅极偏压)在反向电场作用下p-n变厚(称耗尽区)沟道变窄,其漏极电流将变小,(如图c1-b),反向偏压达到一定时,耗尽区将完全沟道夹断,此时,场效应管进入截止状态如图c-c,此时的反向偏压我们称之为夹断电压,用vpo表示,它与栅极电压vgs和漏源电压vds之间可近以表示为vpo=vps+|vgs|,这里|vgs|是vgs的绝对值.
在制造场效应管时,如果在栅极材料加入之前,在沟道上先加上一层很薄的绝缘层的话,则将会大大地减小栅极电流,也大大地增加其输入阻抗,由于这一绝缘层的存在,场效应管可工作在正的偏置状态,我们称这种场效应管为绝缘栅型场效应管,又称mos场效应管,所以场效应管有两种类型,一种是绝缘栅型场效应管,它可工作在反向偏置,零偏置和正向偏置状态,一种是结型栅型效应管,它只能工作在反向偏置状态.
绝缘栅型场效应管又分为增强型和耗尽型两种,我们称在正常情况下导通的为耗尽型场效应管,在正常情况下断开的称增强型效应管.增强型场效应管特点:当vgs=0时id(漏极电流)=0,只有当vgs增加到某一个值时才开始导通,有漏极电流产生.并称开始出现漏极电流时的栅源电压vgs为开启电压.
耗尽型场效应管的特点,它可以在正或负的栅源电压(正或负偏压)下工作,而且栅极上基本无栅流(非常高的输入电阻).
结型栅场效应管应用的电路可以使用绝缘栅型场效应管,但绝缘栅增强型场效管应用的电路不能用结型 栅场效应管代替.
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场效应管是一种单极型晶体管,它只有一个p-n结,在零偏压的状态下,它是导通的,如果在其栅极(g)和源极(s)之间加上一个反向偏压(称栅极偏压)在反向电场作用下p-n变厚(称耗尽区)沟道变窄,其漏极电流将变小,(如图c1-b),反向偏压达到一定时,耗尽区将完全沟道夹断,此时,场效应管进入截止状态如图c-c,此时的反向偏压我们称之为夹断电压,用vpo表示,它与栅极电压vgs和漏源电压vds之间可近以表示为vpo=vps+|vgs|,这里|vgs|是vgs的绝对值.
在制造场效应管时,如果在栅极材料加入之前,在沟道上先加上一层很薄的绝缘层的话,则将会大大地减小栅极电流,也大大地增加其输入阻抗,由于这一绝缘层的存在,场效应管可工作在正的偏置状态,我们称这种场效应管为绝缘栅型场效应管,又称mos场效应管,所以场效应管有两种类型,一种是绝缘栅型场效应管,它可工作在反向偏置,零偏置和正向偏置状态,一种是结型栅型效应管,它只能工作在反向偏置状态.
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