将引发移动、消费电子和联网设备的创新？ReRAM真正已经来临
reram被业界认为其出现将引发移动、消费电子和联网设备的一系列创新！过去几年，业界相关reram的技术报道层出不穷，而产品却并不多见。前不久松下半导体与富士通合作开发出了业界最高密度4 mbit reram。这项被业界广泛乐观期待的技术，亲们都了解吗？reram已经来临，我们一起迎接存储的新时代吧！
reram（可变电阻式存储器），将dram的读写速度与ssd的非易失性结合于一身。换句话说，关闭电源后存储器仍能记住数据。如果reram有足够大的空间，一台配备reram的pc将不需要载入时间。
reram一直被认为是未来闪存的替代方案，能在单块芯片上存储1t数据，存取速率比闪存快20倍。典型的reram由两个金属电极夹一个薄介电层组成，介电层作为离子传输和存储介质。选用材料的不同会对实际作用机制带来较大差别，但本质都是经由外部刺激（如电压）引起存储介质离子运动和局部结构变化，进而造成电阻变化，并利用这种电阻差异来存储数据。
reram优点： · 高速度：擦写速度由触发电阻转变的脉冲宽度决定，一般小于100ns。
· 耐久性：读写采用的是可逆无损害模式，从而可以大大提高其使用寿命。
· 具备多位存储能力：部分材料还具备多种电阻状态，使得当个存储单元存储多位数据成为可能，从而提高存储密度。
关于业界最高密度4 mbit reram 富士通与松下合作开发的业界最高密度4 mbit reram mb85as4mt，不仅能在电压1.65至3.6伏特之间的广泛范围内工作，还能通过spi接口支持最高5 mhz的工作频率，并在读取时仅需极低的工作电流（5mhz频率下平均仅消耗0.2ma）。此外，该产品拥有业界非易失性内存最低的读取功耗。
mb85as4mt采用209mil 8-pin的sop（small outline package），引脚与eeprom等非易失性内存产品兼容。
富士通在微型8-pin sop封装中置入4 mbit的reram，超越了串行接口eeprom的最高密度。预期mb85as4mt高密度且低功耗的特性可运用在电池供电的穿戴式设备、助听器等医疗设备，以及量表与传感器等物联网设备。
4 mbit reram mb85as4mt的产品规格 · 内存密度（组态）：4 mbit（512k字符x 8位）
· 界面：spi（serial peripheral interface）
· 工作电压：1.65 – 3.6v
· 低功耗：
- 读入工作电流0.2ma（于5mhz）
- 写入工作电流1.3ma（写入周期间）
- 待机电流10µa
- 休眠电流2µa
· 保证写入周期：120万次
· 保证读取周期：无限
· 写入周期（256 位/页）：16毫秒（100%数据倒置）
· 数据保留：10年（最高摄氏85度）
· 封装：209mil 8-pin sop
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reram优点： · 高速度：擦写速度由触发电阻转变的脉冲宽度决定，一般小于100ns。
· 耐久性：读写采用的是可逆无损害模式，从而可以大大提高其使用寿命。
· 具备多位存储能力：部分材料还具备多种电阻状态，使得当个存储单元存储多位数据成为可能，从而提高存储密度。
关于业界最高密度4 mbit reram 富士通与松下合作开发的业界最高密度4 mbit reram mb85as4mt，不仅能在电压1.65至3.6伏特之间的广泛范围内工作，还能通过spi接口支持最高5 mhz的工作频率，并在读取时仅需极低的工作电流（5mhz频率下平均仅消耗0.2ma）。此外，该产品拥有业界非易失性内存最低的读取功耗。
mb85as4mt采用209mil 8-pin的sop（small outline package），引脚与eeprom等非易失性内存产品兼容。
富士通在微型8-pin sop封装中置入4 mbit的reram，超越了串行接口eeprom的最高密度。预期mb85as4mt高密度且低功耗的特性可运用在电池供电的穿戴式设备、助听器等医疗设备，以及量表与传感器等物联网设备。
4 mbit reram mb85as4mt的产品规格 · 内存密度（组态）：4 mbit（512k字符x 8位）
· 界面：spi（serial peripheral interface）
· 工作电压：1.65 – 3.6v
· 低功耗：
- 读入工作电流0.2ma（于5mhz）
- 写入工作电流1.3ma（写入周期间）
- 待机电流10µa
- 休眠电流2µa
· 保证写入周期：120万次
· 保证读取周期：无限
· 写入周期（256 位/页）：16毫秒（100%数据倒置）
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· 封装：209mil 8-pin sop
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