Nexperia发布具备市场领先效率的晶圆级12和30V MOSFET
dsn1006和dsn1010中的三款全新器件可在空间受限的应用中节省电力并简化散热管理
奈梅亨，2022年7月27日：基础半导体器件领域的高产能生产专家nexperia今天宣布推出pmcb60xn和pmcb60xne 30v n沟道小信号trench mosfet，该产品采用超紧凑晶圆级dsn1006封装，具有市场领先的rds(on)特性，在空间受限和电池续航运行至关重要的情况下，可使电力更为持久。
新型mosfet非常适合智能手机、智能手表、助听器和耳机等高度小型化电子产品，迎合了更智能、功能更丰富的趋势，满足了增加系统功耗的需求。
rds(on)与竞争器件相比性能提升了25%，可最大限度降低能耗，提高负载开关和电池管理效率。其卓越的性能还表现在自发热降低，从而增强可穿戴设备的用户舒适度。
具体而言，在vgs =4.5v时，pmcb60xn和pmcb60xne的最大rds(on)分别为50mω和55mω。因此，在市场上类似的30v mosfet中，pmcb60xn和pmcb60xne单个芯片面积导通电阻最低。此外，pmcb60xne在集成于1.0mm ×0.6mm ×0.2mm的dsn1006小型外形中，还可提供额定2kv esd保护（人体模型 – hbm）。这两款mosfet的额定漏极电流最高均可达4a。
除了采用dsn1006封装的这两款mosfet外，nexperia还推出了一款采用dsn1010封装的12v n沟道trench mosfet pmca14un。pmca14un在vgs = 4.5 v时的最大rds(on)为16mω，在0.96mm ×0.96mm ×0.24mm（sot8007）尺寸下可具备市场领先的效率。
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