半导体资料丨铌酸锂光子集成电路、碳化硅光子应用、ACL蚀刻
硅衬底上的高度规模化 gan 互补技术
本文报道了gan互补技术（ct）在硅衬底上的扩展到
突破了电路级应用的性能极限。高度缩放的自对准（sa）p沟道finfet（鳍宽度为20 nm）实现了−300 ma/mm的id，最大值和27ω·mm的ron，创下了金属有机化学气相沉积（mocvd）生长的iii族氮化物p-fet的记录。
高密度铌酸锂光子集成电路
在这里，我们证明了类金刚石碳（dlc）是制造基于铁电体的光子集成电路的优越材料，特别是linbo3。使用dlc作为硬掩模，我们展示了深蚀刻、紧密限制、低损耗波导的制造，损耗低至4db/m。与广泛使用的脊形波导相比，这种方法受益于一个数量级以上的更高面积集成密度，同时保持高效的电光调制、低损耗，并为高效的光纤接口提供了一种途径。
碳化硅的新型光子应用
碳化硅（sic）因其独特的光子特性而在新型光子应用中迅速崛起，这得益于纳米技术的进步，如纳米制造和纳米膜转移。本文将首先介绍碳化硅的特殊光学性质。然后，讨论了一种关键结构，即绝缘体上碳化硅叠层（sicoi），它为高质量因数和低体积光学腔中的紧密光约束和强光sic相互作用奠定了坚实的基础。
稀有气体对二氧化硅薄膜acl蚀刻选择性的影响
在本研究中，我们研究了在具有低频（2mhz）偏置源的电感耦合等离子体系统中，四氟甲烷/全氟环丁烷/ar/he气体混合物中的ar/he混合比对等离子体参数、sio2蚀刻动力学和相对于非晶碳层（acl）掩模的蚀刻选择性的影响。研究发现，主要载气的类型确实通过离子通量和cfx/f比的变化来影响输出工艺特性，从而决定等离子体聚合能力。特别是，富氦等离子体在acl掩模的表面处理和sio2/acl蚀刻选择性方面表现出更好的性能。
关键词：互补、finfet、氮化镓、gan-on-si、n-fet、p通道场效应晶体管（p-fet）、缩放、自对准（sa）、晶体管、碳化硅、综合光子学、非晶碳层、电感耦合等离子体蚀刻、离子辅助蚀刻、低频偏置功率、铌酸锂、光子集成电路
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关键词：互补、finfet、氮化镓、gan-on-si、n-fet、p通道场效应晶体管（p-fet）、缩放、自对准（sa）、晶体管、碳化硅、综合光子学、非晶碳层、电感耦合等离子体蚀刻、离子辅助蚀刻、低频偏置功率、铌酸锂、光子集成电路
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