dV/dt对MOSFET动态性能的影响有哪些？
①静态dv/dt：会引起mosfet栅极电压变化，导致错误开通。在栅源间并联电阻，可防止误开通。
②动态dv/dt：回路中电感在mosfet关断时，引起动态dv/dt；工作频率越高，负载等效电感越大，器件同时承受大的漏极电流和高漏极电压，将导致器件损坏。加吸收回路，减小引线长度，采用谐振型电路，可抑制dv/dt。
③二极管恢复期dv/dt：在mosfet使用中，二极管发生续流过程时，漏极电压快速上升，内部二极管反向恢复过程中导致损坏。主要原因是寄生二极管表现为少子器件，有反向恢复时间，反向恢复期间存储电荷快速消失，会增大电流密度和电场强度，引起局部击穿（如二次击穿），导致器件损坏。
由高dv/dt导致的器件误导通的机理包括两种：（1）通过cgd反馈回输入端.如i1电流，rg是总栅极电阻，vgs表示为：
当vgs超过器件的阈值电压vth，器件进入导通状态，在该机制下，dv/dt由以下关系式限定：
低vth器件更加容易导致 dv/dt误导通。在高温环境中必须考虑到vth的负温度系数。并且对于栅阻抗需要认真考虑，来避免误导通。
对于由高dv/dt误导通的第二种机制为 mosfet的开通是由于寄生bjt的导通. 体二极管电容cdb，如电流i2。该机制下dv/dt由以下关系式决定：
在较高的dv/dt和较大的基区电阻rb情况下，mosfet的击穿电压由 bjt决定。通过提高体区掺杂浓度并减小位移电流 i2来提高dv/dt的能力。随着环境温度升高，bjt的rb增大，vbe降低，影响器件dv/dt的能力。
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③二极管恢复期dv/dt：在mosfet使用中，二极管发生续流过程时，漏极电压快速上升，内部二极管反向恢复过程中导致损坏。主要原因是寄生二极管表现为少子器件，有反向恢复时间，反向恢复期间存储电荷快速消失，会增大电流密度和电场强度，引起局部击穿（如二次击穿），导致器件损坏。
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