十六die NAND闪存诞生:单颗容量64GB
为了达到更高的容量，现在的nand闪存芯片通常都会采用mcp(多芯片封装)形式，将多颗die整合在一起，不过工艺和技术所限，一般每颗闪存内只有两 个或四个die，八个的都极其罕见，而加拿大公司mosaidtechnologies今天宣布，他们已经试产了全球第一颗采用惊人十六die封装的 nand闪存芯片，让他们和谐地运行在了一个高性能通道内。
这颗闪存采用了mosaid独家的hlnandmcp技术，利用两个hyperlinknand接口将多达16颗业界标准的32gb(4gb)nandflashdie放到了一起，总容量达到了64gb，而单个字节宽度的hlnand接口通道输出带宽为333mb/s，同步读写数据率667mb/s，另外电压1.8v，低功耗、完整独立逻辑单元号(lun)运行，无需终端电阻。
该闪存的封装格式为100-ballbga，长宽尺寸仅18×14毫米。
如果使用传统mcp封装技术，超过四个nanddie的堆叠就会严重影响性能，并且需要两个或更多通道才能获得类似的吞吐带宽。
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