芯片电学测试是什么？都有哪些测试参数？
电学测试是芯片测试的一个重要环节，用来描述和评估芯片的电性能、稳定性和可靠性。芯片电学测试包括直流参数测试、交流参数测试和高速数字信号性能测试等。
什么是芯片电学测试?
芯片电学测试就是检测芯片、元件等电性能参数是否满足设计的要求。检测的项目有电压、电流、阻抗、电场、磁场、edm、相应时间等。电学测试是评估芯片性能的重要环节，确保芯片的稳定性、可靠性，保证其可以正常运行工作。
芯片电学测试参数
芯片电测试参数包括直流参数测试、交流参数测试和高速数字信号性能测试等。
1. 直流参数测试
是对芯片的直流特性进行测试，包括：
静态电流测试：测试芯片在不同电压下静态电流的大小，评估芯片的电流驱动能力。
电压测试：测试芯片在不同电压下的表现，包括芯片的最大工作电压和静态电压。
斜率测试：测试芯片在不同电流下的电压数值变化。
反向电流测试：测试芯片在反向电流下的性能表现。
2.交流参数测试
是测试芯片的动态电特性，包括：
共模抑制比(cmrr)测试：测试芯片在输入信号存在共模干扰时输出信号的变化量。
变化时间测试：测试芯片在输入信号变化时输出信号的变化时间。
放大器带宽测试：测试芯片放大器的传输带宽。
相位测试：测试芯片信号传输的相位变化。
3.高速数字信号性能测试
主要是针对数字信号处理芯片进行测试，包括：
时钟偏移测试：测试芯片的时钟误差，评估芯片时钟同步性。
捕获时延测试：测试芯片捕获信号的时延。
输出时延测试：测试芯片输出数字信号的时延。
串行接口电气特性测试：测试芯片的串行接口传输电气特性。
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电压测试：测试芯片在不同电压下的表现，包括芯片的最大工作电压和静态电压。
斜率测试：测试芯片在不同电流下的电压数值变化。
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2.交流参数测试
是测试芯片的动态电特性，包括：
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变化时间测试：测试芯片在输入信号变化时输出信号的变化时间。
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3.高速数字信号性能测试
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捕获时延测试：测试芯片捕获信号的时延。
输出时延测试：测试芯片输出数字信号的时延。
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