galaxy note7原本应该是一款备受称赞,超一流的新款智能机,但是在它发布后,数十个关于galaxy note7过热、起火甚至爆炸的报道开始出现。
三星主动召回了galaxy note7,随后美国消费品安全委员会也发布了召回公告。三星誓要召回并更换所有已经在美国销售的galaxy note7,但是不久后其替换机也开始出现同样的问题。三星被迫永久性停产、销售galaxy note7。
galaxy note 7的意外离场,让三星懊恼不已,除了要吸取失败教训外,还有就是加大产品的安全性,不能为了创新而创新,所以在这样的大环境下,他们的galaxy s8将会在明年4月份发布。
现在有消息称,三星的galaxy s8有可能会采用8gb内存和ufs 2.1闪存芯片,而今年的10月份,他们就曾发布公告称,基于10nm工艺的首款8gb lpddr4 dram成片。
需要注意的是,昨天产业链给出的消息称,三星、台积电目前都面临一个问题,那就是10nm工艺良品率太低,而面对galaxy s8这样的产能,如果良品率不改善,恐怕8gb内存要等到note 8上才能看到了。
另外,据说galaxy s8将会推出两个版本(双曲面屏),一个配备5寸屏幕,其二则放大到6寸左右,并且有个单独的名字叫galaxy s8 plus,两者的home键都要被干掉,以为提供屏占比,这样的效果就是6寸的s8 plus会比5.7寸的note 7还要小。
希望这次的galaxy s8会让人惊艳。
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