详解MOS管及简单CMOS逻辑电平电路

现代单片机主要是采用cmos工艺制成的。
mos管
mos管又分为两种类型:n型和p型。
如下图所示:
以n型管为例,2端为控制端,称为“栅极”;3端通常接地,称为“源极”;源极电压记作vss,1端接正电压,称为“漏极”,漏极电压记作vdd。要使1端与3端导通,栅极2上要加高电平。
对p型管,栅极、源极、漏极分别为5端、4端、6端。要使4端与6端导通,栅极5要加低电平。
在cmos工艺制成的逻辑器件或单片机中,n型管与p型管往往是成对出现的。同时出现的这两个cmos管,任何时候,只要一只导通,另一只则不导通(即“截止”或“关断”),所以称为“互补型cmos管”。
02
cmos逻辑电平
高速cmos电路的电源电压vdd通常为+5v;vss接地,是0v。
高电平视为逻辑“1”,电平值的范围为:vdd的65%~vdd(或者vdd-1.5v~vdd)
低电平视作逻辑“0”,要求不超过vdd的35%或0~1.5v。
+1.5v~+3.5v应看作不确定电平。在硬件设计中要避免出现不确定电平。
近年来,随着亚微米技术的发展,单片机的电源呈下降趋势。低电源电压有助于降低功耗。vdd为3.3v的cmos器件已大量使用。在便携式应用中,vdd为2.7v,甚至1.8v的单片机也已经出现。将来电源电压还会继续下降,降到0.9v,但低于vdd的35%的电平视为逻辑“0”,高于vdd的65%的电平视为逻辑“1”的规律仍然是适用的。
03
非门
非门(反向器)是最简单的门电路,由一对cmos管组成。其工作原理如下:
a端为高电平时,p型管截止,n型管导通,输出端c的电平与vss保持一致,输出低电平;a端为低电平时,p型管导通,n型管截止,输出端c的电平与vdd一致,输出高电平。
04
与非门
与非门工作原理:
①、a、b输入均为低电平时,1、2管导通,3、4管截止,c端电压与vdd一致,输出高电平。
②、a输入高电平,b输入低电平时,1、3管导通,2、4管截止,c端电位与1管的漏极保持一致,输出高电平。
③、a输入低电平,b输入高电平时,情况与②类似,亦输出高电平。
④、a、b输入均为高电平时,1、2管截止,3、4管导通,c端电压与地一致,输出低电平。
05
或非门
或非门工作原理:
①、a、b输入均为低电平时,1、2管导通,3、4管截止,c端电压与vdd一致,输出高电平。
②、a输入高电平,b输入低电平时,1、4管导通,2、3管截止,c端输出低电平。
③、a输入低电平,b输入高电平时,情况与②类似,亦输出低电平。
④、a、b输入均为高电平时,1、2管截止,3、4管导通,c端电压与地一致,输出低电平。
注:将上述“与非”门、“或非”门逻辑符号的输出端的小圆圈去掉,就成了“与”门、“或”门的逻辑符号。而实现“与”、“或”功能的电路图则必须在输出端加上一个反向器,即加上一对cmos管,因此,“与”门实际上比“与非”门复杂,延迟时间也长些,这一点在电路设计中要注意。
06
三态门
三态门的工作原理:
当控制端c为“1”时,n型管3导通,同时,c端电平通过反向器后成为低电平,使p型管4导通,输入端a的电平状况可以通过3、4管到达输出端b。
当控制端c为“0”时,3、4管都截止,输入端a的电平状况无法到达输出端b,输出端b呈现高电阻的状态,称为“高阻态”。
这个器件也称作“带控制端的传输门”。带有一定驱动能力的三态门也称作“缓冲器”,逻辑符号是一样的。
注:从cmos等效电路或者真值表、逻辑表达式上都可以看出,把“0”和“1”换个位置,“与非”门就变成了“或非”门。对于“1”有效的信号是“与非”关系,对于“0”有效的信号是“或非”关系。
上述图中画的逻辑器件符号均是正逻辑下的输入、输出关系,即对“1”(高电平)有效而言。而单片机中的多数控制信号是按照负有效(低电平有效)定义的。例如片选信号cs(chip select),指该信号为“0”时具有字符标明的意义,即该信号为“0”表示该芯片被选中。因此,“或非”门的逻辑符号也可以画成下图。
07
组合逻辑电路
“与非”门、“或非”门等逻辑电路的不同组合可以得到各种组合逻辑电路,如译码器、解码器、多路开关等。
组合逻辑电路的实现可以使用现成的集成电路,也可以使用可编程逻辑器件,如pal、gal等实现。


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