如何使用单个反馈源实现偏置电流网络
利用运放反馈与基准电压生成任意大小的直流电流是一个简单、直接的过程。但是，假设须要生成一些任意数量（以n为例）的电流沉/源(current sink/source)，而每个电流沉/源的大小任意，可能须要针对不同阶段的一些复杂模拟电路进行偏置。虽然基准电压的生成仅须一次实施即可，电流沉整个反馈部分的重复进行却使成本与设计空间密集化。那么问题来了：是否可以使用单个反馈源来实现这种偏置网络呢？答案是肯定的，尽管这有些复杂，也须满足某些特定条件。该网络（本文分析中仅以电流沉为例）如图1所示。
图1：灌电流网络
最终mosfet（金氧半场效晶体管）源电压vs以及rset电阻决定着各柱上的灌电流（sink current）；通过去除来自外部电流沉柱的反馈(即所有n>1)，已失去对vsn的直接控制。因此，rsetn必须精心选择以生成预期的任意第n个柱的灌电流，即isinkn。仔细观察上面的图1，很容易得出定义偏置网络第n个柱电流与第1个柱电流的比值的等式︰
重新调整等式1，得出r1与rn电阻比mrn，等式变为：
那么该偏置网络第n个柱的mosfet源电压是什么，vsn?考虑到工作在饱和区的nmos漏极电流等式是：
必须注意的是，这里可以很大程度上忽略通道宽度调制的影响。这是因为任何因漏极电压上升导致的漏极电流的上升会在通过rset电阻后下降，并导致源电压的上升。为了使mosfet能维持任何电流，栅极电压必须大于源电压与阈值电压的和。也就是说，给定一个栅极电压，源电压将被限制在至少比栅极电压小一个阈值电压的值，且再大的漏极电压上升也不会提升漏极电流。因此，构建相应运行条件，rset必须足够大，从而确保在上述限制下可允许作出以下假设：
等式1中的比值可基于等式3和4改写成：
为了简化等式5，可作出如下定义：
利用等式5进行替换与调整后，可导出vsn的等式：
将等式8代入等式2可得出：
那么栅极驱动对阈值电压的差是什么呢，vgt？这最终由偏置网络第1柱的反馈决定；它本质上是维持所需isink1电流需要的电压：
重新调整等式11的项，可得出vgt的等式：
将等式13代入等式10可得出：
最后，电阻比mrn可以单纯地写成min的函数（加上偏置网络设备的一些物理常数），如下所示：
现在关于rset电阻比率的等式已导出，接下来可以探究建立任意大小的偏置电流网络的含义与影响。
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