新型半导体分立器件测试仪介绍
yb6500半导体测试系统功能更加强大，可测试十九大类二十七分类大、中、小功率的半导体分立器件：系统主要参数如下：
主极电压：2000v
主极电流：50a 加选件可扩展到：400a，500a,800 a，1000 a,1250a.(用户自选)
控制极电压：20v 加选件可扩展到：80v
控制极电流：10a 加选件可扩展到：40a
电压分辨率：1mv
电流分辨率：1na（加yb550分辨率为10pa
测试速度：1ms/参数(本系统采用填入式编程方法，专为国内用户开发)
yb6500系统是专为测试半导体分立器件和大功率半导体模块器件而研发设计。它具有十分丰富的编程软件和强大的测试能力，能够真实准确测试以下类型的半导体器件以及相关器件组成的组合器件、器件阵列：
1) 二极管（diode）
2) 晶体管（transistor（npn型/pnp型））
3) 稳压（齐纳）二极管（zener ）
4) 结型场效应管（j-fet （n-沟/p-沟，耗尽型/增强型））
5) mos场效应管（power mosfet（n-沟/p-沟））
6) 三端稳压器（regulator（正电压/负电压，固定/可变））
7) 光电耦合器（opto-coupler（npn型/pnp型））
8) 可控硅整流器（scr ）
9) 双向可控硅（triac）
10) 绝缘栅双极大功率晶体管（igbt（npn型/pnp型））
11) 光电逻辑器件（opto-logic）
12) 双向触发二极管（diac）
13) 固态过压保护器（ssovp）
14) 光电开关管（opto-switch）
15) 硅触发开关（sts）
16) 继电器（relay）
17) 金属氧化物压变电阻（mov）
18) 压变电阻（varistor）
19) 达林顿阵列（darlinton）
二极管diode
ir；bvr ；vf
晶体管 transistor
icbo；iceo；icer； ices； icev；iebo；bvceo (电流大于10ma，脉冲宽度300us)；bvcbo；bvebo；hfe；vcesat；vbesat；vbe(vbeon)；re(间接参数)；
j型场效应管j-fet
igss；idoff；idgo；bvdgo；bvgss；vdson，vgson；idss；idson；rdson；gfs；vgsoff
mos场效应管 mos-fet
idss；idsv；igssf； igssr ；vgsf ；vgsr；bvdss；vgsth；vdson、vf(vsd)
idon；vgson；rdson；gfs
双向可控硅开关器件（双向晶闸管）triac
idrm；irrm；igko；；vd+；vd-；bvgko；vt+ ；vt-；igt；vgt ；il+；il-；ih+；ih-
单向可控硅整流器（普通晶闸管）scr
idrm；irrm；igko；vdrm；vrrm；bvgko；vtm；igt；vgt；il；ih
绝缘栅双极大功率晶体管igbt
ices ；igesf；igesr；bvces；vgeth；vcesat；icon；vgeon；vf；gfs
硅触发可控硅sts
ih+；ih-；vsw+ ；vsw-；vpk+ ；vpk-；vgsw+；vgsw-
达林顿阵列darlinton
icbo ； iceo；icer；ices；icex；iebo；bvceo；bvcer；bvcee；bvces ；bvcbo；bvebo；hfe ；vcesat；vbesat；vbeon
光电耦合器件opto-coupler
icoff、icbo；ir；bvceo；bveco；bvcbo；bvebo；；ctr；hfe；vcesat；vsat；vf(opto-diode)
继电器relay
rcoil；voper；vrel；rcont；optime ；reltime
稳压二极管、齐纳二极管zener
ir；bvz ；vzmin；ir；vf；zz
三端电源稳压器件regulator
vo input ；output ；iin；
光电开关管opto-switch
icoff；vd；igt；von；ion ；ioff
光电逻辑器件测opto-logic
ir；vf；voh；vol；ifon；ifoff；ith+b；ith-b；ith+i；ith-i；
金属氧化物压变电阻mov
id+ id-；vn+； vn-；vc+ ；vc-
固态过压保护器ssovp
id+ id-；vclamp+, vclamp-；vt+、vt-；ih+、ih-；；ibo+ ibo-；vbo+ vbo-；vz+ vz- ；vt+ vt-；
压变电阻varistor
id+ ； id-；vc+ ；vc-
细说三极管的工作原理
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2700系列数据采集/多路综合测试系统的主要特点及应用优势
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基于CPLD和接触式图像传感器的图像采集系统
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关于EMC的50个问题
用口香糖锂电巧代发光手电筒的碱性电池,Alkaline battery replacement
ITECH半导体测试方案解析，从容应对全球功率半导体市场风起云涌
华为云联络中心解决方案，助力「问药师」提供高品质服务
主极电压：2000v
主极电流：50a 加选件可扩展到：400a，500a,800 a，1000 a,1250a.(用户自选)
控制极电压：20v 加选件可扩展到：80v
控制极电流：10a 加选件可扩展到：40a
电压分辨率：1mv
电流分辨率：1na（加yb550分辨率为10pa
测试速度：1ms/参数(本系统采用填入式编程方法，专为国内用户开发)
yb6500系统是专为测试半导体分立器件和大功率半导体模块器件而研发设计。它具有十分丰富的编程软件和强大的测试能力，能够真实准确测试以下类型的半导体器件以及相关器件组成的组合器件、器件阵列：
1) 二极管（diode）
2) 晶体管（transistor（npn型/pnp型））
3) 稳压（齐纳）二极管（zener ）
4) 结型场效应管（j-fet （n-沟/p-沟，耗尽型/增强型））
5) mos场效应管（power mosfet（n-沟/p-沟））
6) 三端稳压器（regulator（正电压/负电压，固定/可变））
7) 光电耦合器（opto-coupler（npn型/pnp型））
8) 可控硅整流器（scr ）
9) 双向可控硅（triac）
10) 绝缘栅双极大功率晶体管（igbt（npn型/pnp型））
11) 光电逻辑器件（opto-logic）
12) 双向触发二极管（diac）
13) 固态过压保护器（ssovp）
14) 光电开关管（opto-switch）
15) 硅触发开关（sts）
16) 继电器（relay）
17) 金属氧化物压变电阻（mov）
18) 压变电阻（varistor）
19) 达林顿阵列（darlinton）
二极管diode
ir；bvr ；vf
晶体管 transistor
icbo；iceo；icer； ices； icev；iebo；bvceo (电流大于10ma，脉冲宽度300us)；bvcbo；bvebo；hfe；vcesat；vbesat；vbe(vbeon)；re(间接参数)；
j型场效应管j-fet
igss；idoff；idgo；bvdgo；bvgss；vdson，vgson；idss；idson；rdson；gfs；vgsoff
mos场效应管 mos-fet
idss；idsv；igssf； igssr ；vgsf ；vgsr；bvdss；vgsth；vdson、vf(vsd)
idon；vgson；rdson；gfs
双向可控硅开关器件（双向晶闸管）triac
idrm；irrm；igko；；vd+；vd-；bvgko；vt+ ；vt-；igt；vgt ；il+；il-；ih+；ih-
单向可控硅整流器（普通晶闸管）scr
idrm；irrm；igko；vdrm；vrrm；bvgko；vtm；igt；vgt；il；ih
绝缘栅双极大功率晶体管igbt
ices ；igesf；igesr；bvces；vgeth；vcesat；icon；vgeon；vf；gfs
硅触发可控硅sts
ih+；ih-；vsw+ ；vsw-；vpk+ ；vpk-；vgsw+；vgsw-
达林顿阵列darlinton
icbo ； iceo；icer；ices；icex；iebo；bvceo；bvcer；bvcee；bvces ；bvcbo；bvebo；hfe ；vcesat；vbesat；vbeon
光电耦合器件opto-coupler
icoff、icbo；ir；bvceo；bveco；bvcbo；bvebo；；ctr；hfe；vcesat；vsat；vf(opto-diode)
继电器relay
rcoil；voper；vrel；rcont；optime ；reltime
稳压二极管、齐纳二极管zener
ir；bvz ；vzmin；ir；vf；zz
三端电源稳压器件regulator
vo input ；output ；iin；
光电开关管opto-switch
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ir；vf；voh；vol；ifon；ifoff；ith+b；ith-b；ith+i；ith-i；
金属氧化物压变电阻mov
id+ id-；vn+； vn-；vc+ ；vc-
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id+ id-；vclamp+, vclamp-；vt+、vt-；ih+、ih-；；ibo+ ibo-；vbo+ vbo-；vz+ vz- ；vt+ vt-；
压变电阻varistor
id+ ； id-；vc+ ；vc-
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