联电联手AVALANCHE 合作开发28纳米MRAM技术
据***经济日报最新消息，联电（2303）与下一代st-mram（自旋转移力矩磁阻ram）领导者美商avalanche共同宣布，合作技术开发mram及相关28纳米产品；联电即日起透过授权，提供客户具有成本效益的28纳米嵌入式非挥发性mram技术。
此两家公司成为合作伙伴，共同开发和生产取代嵌入式存储器的磁阻式随机存取存储器（mram）。同时联电将透过avalanche的授权提供技术给其他公司。
联电根据此合作协议，于28纳米cmos制程上提供嵌入式非挥发性mram区块供客户将低延迟、超高效能及低功率的嵌入式mram存储器模组整合至应用产品，并锁定在物联网、穿戴装置、消费型产品，以及工业、车用电子市场的微控制器（mcu）和系统单晶片（soc）上。
两家公司也正考虑将合作范畴扩展至28纳米以下的制程技术，利用avalanche在cmos技术的相容及可扩充特性，运用到各个先进制程。使这些统一存储器（非挥发性及静态随机存取存储器sram）能顺利地移转调配到下一世代的高整合性的微控制器（mcu）和系统单晶片（soc）上。如此一来，系统设计者就可以在同样的架构及连带的软体系统上直接修改而不需重新设计。
联电先进技术处副总经理洪圭钧表示，联电不断推出持续精进的制程技术，以提升客户的竞争优势。随着嵌入式非挥发性存储器nvm解决方案在目前的晶片设计界日趋普及，已经为高成长的行业，如：新兴消费和车用电子应用的客户，建立了强大且坚实的嵌入式非挥发性存储器解决方案组合。联电和avalanche合作开发28纳米mram，期待能将此合作进程推升至联电客户的量产阶段。
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