ISSI具有纠错功能的Async SRAM
近年来，对精密半导体存储器的需求已从个人计算机市场扩展到了汽车，通信和数字消费，工业及医疗市场。这些产品需要增加内存容量，以帮助处理大量数据。issi为汽车，通信，数字消费者以及工业和医疗提供了高速低功耗sram和中低密度dram。
is61/64wvxxxxxedbll系列是具有纠错(ecc)功能的异步静态随机存储器(async sram),该器件内置独立的ecc单元，极大程度提升了数据的完整性;同时得益于先进的设计理念及65nm的制程工艺,期耗、读写速度均处于业界领先水平。
产品主要特性:
●每-字节都带有独立的纠错单元; .
●纠错单元可以侦测到数据错误，組为悔一字节纠正- 比特的错误,大幅度降低ser,提升可靠性;
●可直接替代现有的无ecc功能的标准sram器件，客户不必更改原有的电路板设计即可使用以提高系统可靠性。
●最快存取时间可达到8ns
●温度范围可达-40°c到+125c
带有ecc纠错功能的异步sram可以在芯片内部侦测并纠正数据错误，最大限度地提高了数据的可靠性。相较于传统ecc电路设计方法,该器件所有校验及纠错动作在片内完成，无需另外的错误校正芯片,从而简化.了硬件线路及软件算法设计，同时节省电路板空间。该器件可满足不同应用对数据完整性的严苛要求，广泛适用于汽车，医疗,工控及通讯领域。
issi代理商高速异步sram
型号 容量 位宽 电压 速度 封装
is64wv51216edbll 8mb 512kx16 2.4-3.6v 10 tsop2(44),bga(48)
is61wv10248edbll 8mb 1mx8 2.4-3.6v 8,10,20 tsop2(44),bga(48)
is61wv51216all/bll 8mb 512kx16 1.65-3.6v 8,10,20 tsop2(44),bga(48)
is61wv51216edall/bll 8mb 512kx16 1.65-3.6v 8,10,20 tsop2(44),bga(48)
is61wv25632all/bll 8mb 256kx32 1.65-3.6v 8,10,20 bga(90)
is61wv10248all/bll 8mb 1mx8 1.65-3.6v 8,10,20 tsop2(44),bga(48)
lw
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is61/64wvxxxxxedbll系列是具有纠错(ecc)功能的异步静态随机存储器(async sram),该器件内置独立的ecc单元，极大程度提升了数据的完整性;同时得益于先进的设计理念及65nm的制程工艺,期耗、读写速度均处于业界领先水平。
产品主要特性:
●每-字节都带有独立的纠错单元; .
●纠错单元可以侦测到数据错误，組为悔一字节纠正- 比特的错误,大幅度降低ser,提升可靠性;
●可直接替代现有的无ecc功能的标准sram器件，客户不必更改原有的电路板设计即可使用以提高系统可靠性。
●最快存取时间可达到8ns
●温度范围可达-40°c到+125c
带有ecc纠错功能的异步sram可以在芯片内部侦测并纠正数据错误，最大限度地提高了数据的可靠性。相较于传统ecc电路设计方法,该器件所有校验及纠错动作在片内完成，无需另外的错误校正芯片,从而简化.了硬件线路及软件算法设计，同时节省电路板空间。该器件可满足不同应用对数据完整性的严苛要求，广泛适用于汽车，医疗,工控及通讯领域。
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型号 容量 位宽 电压 速度 封装
is64wv51216edbll 8mb 512kx16 2.4-3.6v 10 tsop2(44),bga(48)
is61wv10248edbll 8mb 1mx8 2.4-3.6v 8,10,20 tsop2(44),bga(48)
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is61wv25632all/bll 8mb 256kx32 1.65-3.6v 8,10,20 bga(90)
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