英诺赛科宽禁带半导体项目完成
资料显示，英诺赛科宽禁带半导体项目总投资68.55亿元人民币，注册资本20亿元，占地368.6亩，主要建设从器件设计，驱动ic设计开发，材料制造，器件制备，后段高端封测以及模块加工的全产业链宽禁带半导体器件制造平台。建成后将成为世界一流的集研发、设计、外延生产、芯片制造、分装测试等于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台。
据规划，项目开工后两年内投产，投产后三年实现年产78万片功率控制电路及半导体电力电子器件的总目标，年销售收入约80亿元，年税收不低于10亿元。
根据江苏经济报此前报道，该项目建成投产后将填补国内相关领域空白，并成为世界第一个大型量产基地。该项目也是该领域全球首个大型量产基地，为5g移动通信、新能源汽车、高速列车、电子信息、航空航天、能源互联网等产业的自主创新发展，提供核心电子元器件。
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