碳化硅MOSFET与Si MOSFET的比较
mosfet是现代电子产品的基本组成部分，被认为是上个世纪最重要的发明之一。然而，mosfet已经有所改进，包括从硅（si）转向碳化硅（sic），这显着提高了它们的性能。但到底什么是mosfet？
场效应管基础知识
mosfet（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种场效应晶体管，这意味着它通过使用电场来控制电流。mosfet 通常有三个端子：栅极、漏极和源极。漏极和源极之间传导的电流通过施加到栅极的电压进行控制。与其他类型的晶体管相比，mosfet具有更高的功率密度，这是一个明显的优势。此外，与bjt（双极结型晶体管）相比，mosfet需要最少的输入电流来控制负载电流。
mosfet 的快速历史
mosfet由贝尔实验室的mohamed m. atalla和dawon kahng于1959年发明，现代电子产品中mosfet无处不在，被广泛认为是电子领域最重要的发明。它们很快被证明是计算机、数字革命、信息革命和硅时代不可或缺的。
开发mosfet的关键之一是创新的表面钝化方法，这是使用热氧化构建工作mosfet的主要障碍。mosfet上的绝缘体是二氧化硅，而导体是晶体硅。
长期以来，硅一直是mosfet的首选半导体材料。然而，在wolfspeed创造了第一个sic mosfet之后，发生了重大转变。碳化硅已被证明是mosfet技术的游戏规则改变者，具有多种优势。
碳化硅相对于硅的优势
在半导体技术中使用时，碳化硅比硅具有许多优势，包括：
更高的临界击穿场，这意味着可以在保持额定电压的同时仍减小器件的厚度
带隙更宽，在相对较高的温度下漏电流更低
更高的导热性，支持更高的电流密度
全面减少能量损失
在mosfet中使用碳化硅代替si也会导致：
降低开关损耗，这会影响 mosfet 从阻塞过渡到导通时发生的损耗（反之亦然）
更高的开关频率，这意味着可以使用更小的外围元件（例如滤波器、电感器、电容器、变压器）
提高临界击穿强度，约为硅可达到的 10 倍
更高的运行温度，这意味着简化的冷却机制（例如散热器）
碳化硅与硅：碳化硅获胜
与硅级产品相比，碳化硅 mosfet 具有更好的整体性能、更高的效率、更高的开关频率和更紧凑的组件。越来越多的工程师转向碳化硅mosfet，并利用它们提供的优越性能。
直流电子负载应用
如何使用YAKINDU Statechart Tools创建数字手表
振弦采集模块参数配置工具VMTool 的使用
【虹科新品】HK-MR340系列：用于确定肿瘤的大小和位置
DEKRA德凯新建静安电磁兼容和射频实验室为客户提供专业化服务
碳化硅MOSFET与Si MOSFET的比较
rk3588和n100参数对比
NI 与上海交大合作建立自动化与控制教学联合实验室
陕西跨境电商B2B出口试点业务正式启动，助力“一带一路”建设
行程开关与接近开关在应用中有哪些区别
PCB电路中的电磁兼容设计应该怎样设计
三个主流软件提取寄生参数比较
科大讯飞将带来一场人工智能盛宴
Socket 940是什么
特瑞仕半导体推出超小型1mm、高速LDO电压调整器XC622
LED结温及其降低方法
热敏电阻测温电路设计方案汇总（四款热敏电阻测温电路设计方案）
远景AESC新一代AIoT动力电池将实现价值最大化并具备场景辨识能力
5G+AR/VR抢占技术风口 点燃MicroLED产业热情
GE打算出售Current和照明
场效应管基础知识
mosfet（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种场效应晶体管，这意味着它通过使用电场来控制电流。mosfet 通常有三个端子：栅极、漏极和源极。漏极和源极之间传导的电流通过施加到栅极的电压进行控制。与其他类型的晶体管相比，mosfet具有更高的功率密度，这是一个明显的优势。此外，与bjt（双极结型晶体管）相比，mosfet需要最少的输入电流来控制负载电流。
mosfet 的快速历史
mosfet由贝尔实验室的mohamed m. atalla和dawon kahng于1959年发明，现代电子产品中mosfet无处不在，被广泛认为是电子领域最重要的发明。它们很快被证明是计算机、数字革命、信息革命和硅时代不可或缺的。
开发mosfet的关键之一是创新的表面钝化方法，这是使用热氧化构建工作mosfet的主要障碍。mosfet上的绝缘体是二氧化硅，而导体是晶体硅。
长期以来，硅一直是mosfet的首选半导体材料。然而，在wolfspeed创造了第一个sic mosfet之后，发生了重大转变。碳化硅已被证明是mosfet技术的游戏规则改变者，具有多种优势。
碳化硅相对于硅的优势
在半导体技术中使用时，碳化硅比硅具有许多优势，包括：
更高的临界击穿场，这意味着可以在保持额定电压的同时仍减小器件的厚度
带隙更宽，在相对较高的温度下漏电流更低
更高的导热性，支持更高的电流密度
全面减少能量损失
在mosfet中使用碳化硅代替si也会导致：
降低开关损耗，这会影响 mosfet 从阻塞过渡到导通时发生的损耗（反之亦然）
更高的开关频率，这意味着可以使用更小的外围元件（例如滤波器、电感器、电容器、变压器）
提高临界击穿强度，约为硅可达到的 10 倍
更高的运行温度，这意味着简化的冷却机制（例如散热器）
碳化硅与硅：碳化硅获胜
与硅级产品相比，碳化硅 mosfet 具有更好的整体性能、更高的效率、更高的开关频率和更紧凑的组件。越来越多的工程师转向碳化硅mosfet，并利用它们提供的优越性能。
直流电子负载应用
如何使用YAKINDU Statechart Tools创建数字手表
振弦采集模块参数配置工具VMTool 的使用
【虹科新品】HK-MR340系列：用于确定肿瘤的大小和位置
DEKRA德凯新建静安电磁兼容和射频实验室为客户提供专业化服务
碳化硅MOSFET与Si MOSFET的比较
rk3588和n100参数对比
NI 与上海交大合作建立自动化与控制教学联合实验室
陕西跨境电商B2B出口试点业务正式启动，助力“一带一路”建设
行程开关与接近开关在应用中有哪些区别
PCB电路中的电磁兼容设计应该怎样设计
三个主流软件提取寄生参数比较
科大讯飞将带来一场人工智能盛宴
Socket 940是什么
特瑞仕半导体推出超小型1mm、高速LDO电压调整器XC622
LED结温及其降低方法
热敏电阻测温电路设计方案汇总（四款热敏电阻测温电路设计方案）
远景AESC新一代AIoT动力电池将实现价值最大化并具备场景辨识能力
5G+AR/VR抢占技术风口 点燃MicroLED产业热情
GE打算出售Current和照明