泛林集团推出革命性的新刻蚀技术，推动下一代3D存储器件的制造
通过技术和equipment intelligence®（设备智能）的创新，vantex™重新定义了高深宽比刻蚀，助力芯片制造商推进3d nand和dram的技术路线图。
上海 ——今日，泛林集团 （nasdaq： lrcx） 发布了专为其最智能化的刻蚀平台sense.i™所设计的最新介电质刻蚀技术vantex™。基于泛林集团在刻蚀领域的领导地位，这一开创性的设计将为目前和下一代nand和dram存储设备提供更高的性能和更大的可延展性。
3d存储设备通常被应用于例如智能手机、显卡和固态存储驱动等。芯片制造商们一直以来都在通过纵向增加设备尺寸和横向减少关键尺寸（cd）持续降低先进技术产品的位成本，将3d nand和dram中的刻蚀深宽比提升至更高水平。
vantex的全新腔室设计能够以更高的射频（rf）功率刻蚀更高深宽比的器件，提升产能，降低成本。更高的功率和射频脉冲技术的结合可以实现严苛的cd控制，从而改进器件功能。
根据3d nand设备的技术路线图，每一代刻蚀都需要实现更大的深度，这也推动了提升刻蚀轮廓均匀性的需求。vantex技术控制了刻蚀的垂直角度，以满足这些3d器件结构设计密度要求，并在整个300mm晶圆上实现高良率。
“10多年来，泛林集团一直在高深宽比刻蚀领域保持行业领先，我们所独有的经验使vantex的腔室设计从一开始就能够为未来的许多技术节点提供可延展性和创新性。” 泛林集团高级副总裁、刻蚀产品事业部总经理vahid vahedi表示，“vantex重新定义了刻蚀平台性能和生产效率的行业标杆，这一突破性的刻蚀技术对于客户来说非常有吸引力。”
泛林集团sense.i刻蚀平台具有equipment intelligence®（设备智能）功能，可以从数百个传感器收集数据，监测系统和工艺性能。借助sense.i系统的高带宽通信，vantex刻蚀腔室在每个晶圆中采集的数据多于市场上其他任何设备——它能够更有效地分析和利用数据，以提高晶圆上和晶圆间的性能。
泛林集团将持续向存储器行业的领军客户提供sense.i平台上的vantex以期获得客户认可和重复订单，助力客户在2021年实现高量产。
图注：泛林集团vantex™新型刻蚀腔室搭载其行业领先的sense.i™刻蚀平台
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3d存储设备通常被应用于例如智能手机、显卡和固态存储驱动等。芯片制造商们一直以来都在通过纵向增加设备尺寸和横向减少关键尺寸（cd）持续降低先进技术产品的位成本，将3d nand和dram中的刻蚀深宽比提升至更高水平。
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