一些模拟电子技术的基础知识
一、结构及类型
半导体按材料主要可分为硅管和锗管，其结构如下图示（箭头方向即为电流方向）
二、伏安特性
其伏安特性曲线如下图示，
正向特性：1. 死区电压大小与材质有关，其中si是0.5v,ge是0.1v
正向管压降：si是0.7v，ge是0.3v
反向特性：iuiu(击穿），i反向增大
三、产生击穿原理
条件：半导体的掺杂浓度高，空间电荷区有较强电场，其类型可分为齐纳和雪崩齐纳特点：击穿电压低于4v,击穿电压具有负的温度系数（即温度越高，所需电压越小）雪崩特点：iui>6v,具有正的温度系数 四、温度对性能影响1.温度升高，死区电压、正向管压降下降2.温度升高，少子浓度增大，反向饱和电流增大
五、常用线性模型1.理想模型：u>0,d导通，两端电压看做0v，视为短路uuf,d导通，ud=uf,d视为恒压源（uf）u0,dz导通，视为短路2.u
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