近年来,为了推动功率半导体行业尤其是 igbt产业健康快速发展,国家相关部门不仅制定了相关的一系列政策措施,还不断加大金融扶持力度。在国家政策引导和市场需求持续增长和的双重刺激下,吸引了一批拥有丰富科研经验的igbt技术人才回国,同时也为一批企业提供了掌握igbt核心技术的机会,进一步推进igbt国产化进程。
igbt:复合型功率器件
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功率半导体器件
功率半导体器件(power electronic device)又称为电力电子器件和功率电子器件,是指可直接用于处理电能的主电路中,实现电能的变换或控制的电子器件,其作用主要分为功率转换、功率放大、功率开关、线路保护和整流等。
功率半导体大致可分为功率半导体分立器件(包括功率模块)和功率半导体集成电路两大类。按照器件结构,现有的功率半导体分立器件可分二极管、功率晶体管、晶闸管等,其中功率晶体管分为双极性结型晶体管(bjt,俗称三极管)、结型场效应晶体管(jfet)、金属氧化物场效应晶体管(mosfet)和绝缘栅双极晶体管(igbt)等。
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igbt的概念
igbt是由bjt和mosfet组成的功率半导体器件,它的控制极为绝缘栅场效应晶体管,输出极为双极型功率晶体管,因而兼有两者速度和驱动能力的优点,克服了两者的缺点。igbt可以在各种电路中提高功率转换、传送和控制的效率,实现节约能源、提高工业控制水平的目的,,被业界誉为电力电子装置的“cpu”,广泛应用于工业控制、轨道交通、白色家电、新能源发电、新能源汽车等领域。
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igbt内部结构及工作原理
一般,igbt有三个端子:集电极、发射极和栅极,他们都是附有金属层。但是,栅极端子上的金属材料具有二氧化硅层。igbt结构其实就相当于是一个四层半导体的器件。四层器件是通过组合pnp和npn晶体管来实现的,它们构成了p-n-p-n排列。
igbt的工作原理其实是通过不断激活和停用其栅极端子来开启、关闭实现的。如果正输入的电压通过栅极,发射器就会保持驱动电路开启。另一方面,如果igbt的栅极端的电压为零或者为负时,则就会关闭电路应用。
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主要产品形式
依产品结构形式不同,igbt有单管、igbt模块和智能功率模块ipm三种类型。igbt单管主要应用于小功率家用电器、分布式光伏逆变器及小功率变频器等领域;igbt模块主要应用于大功率工业变频器、电焊机、新能源汽车(电机控制器、车载空调、充电桩)等领域(当前市场上销售的多为此类模块化产品);智能功率模块ipm主要在变频空调、变频洗衣机等白色家电领域有广泛应用。
根据应用场景的电压不同,igbt有超低压、低压、中压和高压等类型,其中新能源汽车、工业控制、家用电器等使用的igbt以中压为主,而轨道交通、新能源发电和智能电网等对电压要求较高,主要使用高压igbt。
igbt技术发展历史
从20世纪80年代至今,igbt芯片经历了7代升级,从平面穿通型(pt)到沟槽型电场-截止型(fs-trench),芯片面积、工艺线宽、通态饱和压降、关断时间、功率损耗等各项指标经历了不断的优化,断态电压也从600v提高到6500v以上。目前市场上应用最广泛的仍是igbt第4代工艺产品。igbt技术的整体发展趋势是大电流、高电压、低损耗、高频率、功能集成化、高可靠性。
igbt市场规模及竞争情况
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igbt全球市场规模
近年来,全球igbt市场规模保持连年增长的趋势,根据markets and markets数据,全球igbt市场规模从2012年的32亿美元增长至2021年的70.9亿美元,年均复合增长率为6.6%,2021年,全球igbt的市场规模为70.9亿美元,同比增长6.6%。
从应用领域来看,工业控制和新能源汽车是igbt需求最大的两个下游领域,分别占比为37%和28%,其次是新能源发电和家电变频市场,需求占比分别为9%和8%。2020年以来,新能源汽车需求明显提速,2021年较2020年需求占比提升19%,是igbt主要的增量需求来源。
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igbt国内市场规模
随着全球制造业向我国的转移,我国已逐渐成为全球最大的igbt市场。相关数据显示,2016-2021年,我国igbt产量及需求量均呈现连年增长的趋势,2021年,我国igbt的需求量为13000万只,同比增长20.00%;生产量为2580万只,同比增长27.72%;产需差值为10620万只。2021年,我国igbt市场规模约为218.75亿元,同比增长37.23%。近年来,我国积极践行“碳达峰、碳中和”发展战略,在各行业推行节能减排目标,不断优化调整能源使用结构,大力发展新能源产业,叠加工业自动化进程加快,我国对于igbt的市场需求不断扩大。预计到2025年,我国igbt市场规模将达到600亿元左右。
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igbt竞争格局
从全球市场竞争格局来看,欧美日厂商资金实力雄厚、技术水平领先、产业经验丰富,凭借先发优势抢占了全球功率半导体绝大多数的市场份额,并且一直保持较大的领先优势。国内厂商在全球竞争中不具备优势,所占市场份额较低。在国内市场竞争格局中,国际大厂仍占据绝大部分市场份额,国产化率低于20%。
根据yole相关数据统计,全球igbt的市场集中度较高,行业cr3达到51%。其中,英飞凌、三菱、安森美三家企业的市场占比分别为27%、14%、10%,在全球igbt市场竞争格局中位列前三名;士兰微是我国唯一进入全球前十的品牌,其市场占比约为3%。
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中国igbt芯片企业产品布局
中国igbt芯片行业代表性企业从技术格局来看,斯达半导应用第七代igbt技术,电压覆盖范围为100-3300v;华微电子布局第六代igbt技术,电压覆盖范围为360-1350v;士兰微、时代电气、宏微科技应用第五代igbt技术;新洁能主要应用第四代igbt技术。
从igbt芯片产品主要应用领域来看,时代电气、斯达半导两家企业覆盖领域较广,时代电气igbt芯片主要应用领域覆盖了轨交、车载、光伏、风电、工控等,斯达半导igbt芯片主要应用领域覆盖车载、光伏、风电、工控、家电等。
资料来源:东海证券研究所、前瞻产业研究院、智研咨询、华西证券股权专家
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