瞬态抑制二极管TVS的工作原理（下）
瞬态抑制二极管tvs的工作原理？|深圳比创达电子emc（下）
tvs二极管与zener二极管同样作为过压保护， tvs着重浪涌电压的钳位保护，具有抗大电流冲击的能力;zener管着重于稳压效果，具有浪涌电流小，保护电压稳的特点，两者在原理与保护特性有所区别，同时在个别应用领域又能一定程度的互换。
一、齐纳击穿
当反向电压增大到一定值时，势垒区内就能建立起很强的电场，它能够直接将束缚在共价键中的价电子拉出来，使势垒区产生大量的电子--空穴对，形成较大的反向电流，产生击穿，把这种在强电场作用下，使势垒区中原子直接激发的击穿现象称为齐纳击穿。
齐纳击穿一般发生在掺杂浓度较高的pn结中。这是因为掺杂浓度较高的pn结，空间电荷区的电荷密度很大，宽度较窄，只要加不大的反向电压，就能建立起很强的电场，发生齐纳击穿。
二、雪崩击穿
随着反向电压的提高，空间电荷区内电场增强，通过势垒区的载流子获得的能量也随之增加。当反向电压接近击穿电压vbr时，这些有较高能量的载流子与空间电荷区内的中性原子相遇发生碰撞电离，产生新的电子--空穴对。
这些新产生的电子和空穴又会在电场的作用下，重新获得能量，碰撞其它的中性原子使之电离，再产生更多的电子--空穴对。这种连锁反应继续下去，使空间电荷区内的载流子数量剧增，就像雪崩一样，使反向电流急剧增大，产生击穿。所以把这种击穿称为雪崩击穿。
雪崩击穿一般发生在掺杂浓度较低、外加电压又较高的pn结中。这是因为掺杂浓度较低的pn结，空间电荷区宽度较宽，发生碰撞电离的机会较多。
综上所述，相信通过本文的描述，各位对瞬态抑制二极管tvs的工作原理？（下）都有一定了解了吧，有疑问和有不懂的想了解可以随时咨询深圳比创达这边。今天就先说到这，下次给各位讲解些别的内容，咱们下回见啦！也可以关注我司wx公众平台：深圳比创达emc！
以上就是深圳市比创达电子科技有限公司小编给您们介绍的瞬态抑制二极管tvs的工作原理（下）的内容，希望大家看后有所帮助！
深圳市比创达电子科技有限公司成立于2012年，总部位于深圳市龙岗区，成立至今一直专注于emc电磁兼容领域，致力于为客户提供最高效最专业的emc一站式解决方案，业务范围覆盖emc元件的研发、生产、销售及emc设计和整改。
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一、齐纳击穿
当反向电压增大到一定值时，势垒区内就能建立起很强的电场，它能够直接将束缚在共价键中的价电子拉出来，使势垒区产生大量的电子--空穴对，形成较大的反向电流，产生击穿，把这种在强电场作用下，使势垒区中原子直接激发的击穿现象称为齐纳击穿。
齐纳击穿一般发生在掺杂浓度较高的pn结中。这是因为掺杂浓度较高的pn结，空间电荷区的电荷密度很大，宽度较窄，只要加不大的反向电压，就能建立起很强的电场，发生齐纳击穿。
二、雪崩击穿
随着反向电压的提高，空间电荷区内电场增强，通过势垒区的载流子获得的能量也随之增加。当反向电压接近击穿电压vbr时，这些有较高能量的载流子与空间电荷区内的中性原子相遇发生碰撞电离，产生新的电子--空穴对。
这些新产生的电子和空穴又会在电场的作用下，重新获得能量，碰撞其它的中性原子使之电离，再产生更多的电子--空穴对。这种连锁反应继续下去，使空间电荷区内的载流子数量剧增，就像雪崩一样，使反向电流急剧增大，产生击穿。所以把这种击穿称为雪崩击穿。
雪崩击穿一般发生在掺杂浓度较低、外加电压又较高的pn结中。这是因为掺杂浓度较低的pn结，空间电荷区宽度较宽，发生碰撞电离的机会较多。
综上所述，相信通过本文的描述，各位对瞬态抑制二极管tvs的工作原理？（下）都有一定了解了吧，有疑问和有不懂的想了解可以随时咨询深圳比创达这边。今天就先说到这，下次给各位讲解些别的内容，咱们下回见啦！也可以关注我司wx公众平台：深圳比创达emc！
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深圳市比创达电子科技有限公司成立于2012年，总部位于深圳市龙岗区，成立至今一直专注于emc电磁兼容领域，致力于为客户提供最高效最专业的emc一站式解决方案，业务范围覆盖emc元件的研发、生产、销售及emc设计和整改。
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