使用MOSFET输出级的放大器电路图
这里介绍的电路是使用 mosfet 输出级的放大器电路，作为基于双极晶体管的输出级的替代品。该项目适合那些想要尝试功率 mosfet 的人。无需赘述，mosfet 具有真空管和双极晶体管特有的声音。 mosfet放大器的主要优点：操作简单、数百瓦的简单并联、负温度系数和快速开关时间。主要缺点：输入电容高达 500 至 1000 pf，对静电放电敏感。
mosfet 的种类非常广泛，有 pnp 和 npn，电压从 100 到 200 伏或更高，还有附加型号（如双极型）。功放常用型号有10n16、10p16、irfp140、irfp9140、irfp240、irfp9240、2sk135、2sj50、2sk1530、2sj201。在这个项目中，a点和c点连接到驱动级的输出，b点连接到反作用，d点连接到质量驱动器。电路板计划的外壳为to3p晶体管，将脚稍微弯曲为to220型封装。
通过放置在 a 点和 c 点之间的 250 欧姆可调电位器来设置静态电流（每个 mosfet 约为 100 ma），无需任何其他复杂操作。始终可以使用其他传统系统。齐纳二极管用于通过非常简单的系统保护 mosfet，为了获得更好的系统，您可以尝试更复杂的系统（+ 串联 1n4148 齐纳齐纳二极管 + 串联电阻，...）。传统的 rx 电阻器线绕 0.22 欧姆 5 瓦电阻器被替换为 5 至 1.2 欧姆 1 瓦碳层并联，以避免自身影响。 cx 电容器应根据将要进行的补偿来放置，所有情况均提供 pcb。
irf530（红外） 670 250 190
irf9530（红外） 860 340
irf540（红外） 1700 第560章
irf9540（红外） 1400 590 300
irfp140（红外） 1700 550
irfp9140（红外） 1400 590 300
irfp240（红外） 1300 400
irfp9240（红外） 1200 370 100
irfp240（哈里斯） 第1275章 500 125
irfp9240（哈里斯） 1400 350
参考 输入容量（pf） pf 输出容量 补偿pf输入/输出
零件清单：
r1、r2、r3、r4 = 100 至 470 欧姆 1 / 4 w 金属膜
r5 = 10 欧姆 1 瓦碳
rx = 1.2 欧姆 1 w 碳
c1、c2 = 100 uf 100 伏
c3 = 220 nf 100 伏
cx = 陶瓷电容器(值取决于要进行的补偿，见表)
d1、d2 = 10 伏齐纳二极管 400 mw
t1、t2 = 示例 irfp140 (100 v)、irfp240 (200 v)
t3、t4 = 示例 irfp9140 (100 v)五)、irfp9240(200v)
注意：该项目尚未经过测试。
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通过放置在 a 点和 c 点之间的 250 欧姆可调电位器来设置静态电流（每个 mosfet 约为 100 ma），无需任何其他复杂操作。始终可以使用其他传统系统。齐纳二极管用于通过非常简单的系统保护 mosfet，为了获得更好的系统，您可以尝试更复杂的系统（+ 串联 1n4148 齐纳齐纳二极管 + 串联电阻，...）。传统的 rx 电阻器线绕 0.22 欧姆 5 瓦电阻器被替换为 5 至 1.2 欧姆 1 瓦碳层并联，以避免自身影响。 cx 电容器应根据将要进行的补偿来放置，所有情况均提供 pcb。
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irf9540（红外） 1400 590 300
irfp140（红外） 1700 550
irfp9140（红外） 1400 590 300
irfp240（红外） 1300 400
irfp9240（红外） 1200 370 100
irfp240（哈里斯） 第1275章 500 125
irfp9240（哈里斯） 1400 350
参考 输入容量（pf） pf 输出容量 补偿pf输入/输出
零件清单：
r1、r2、r3、r4 = 100 至 470 欧姆 1 / 4 w 金属膜
r5 = 10 欧姆 1 瓦碳
rx = 1.2 欧姆 1 w 碳
c1、c2 = 100 uf 100 伏
c3 = 220 nf 100 伏
cx = 陶瓷电容器(值取决于要进行的补偿，见表)
d1、d2 = 10 伏齐纳二极管 400 mw
t1、t2 = 示例 irfp140 (100 v)、irfp240 (200 v)
t3、t4 = 示例 irfp9140 (100 v)五)、irfp9240(200v)
注意：该项目尚未经过测试。
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