内存中1X纳米、1Y纳米、1Z纳米是什么意思
虽然现在台积电已经量产7纳米，明年将向6纳米过渡，两至三年后将来到3纳米级别，但内存的制造半导体制程工艺进入20纳米之后，制造就难度越来越高，继续提升制程工艺费效比越来越低，内存芯片厂商对工艺的定义已经不是具体的线宽，而是希望通过两代或三代1xnm节点去升级dram，由此称为1xnm、1ynm、1znm。大体上1xnm工艺相当于16-19nm级别、1ynm相当于14-16nm，1znm工艺相当于12-14nm级别。
而通过美光的dram技术路线图显示，美光将继续扩展多个10纳米级节点，除了已经投产的第一代10纳米（1x）和第二代10纳米（1y），目前开始量产第三代10纳米（1z），首批使用1znm制程来生产的dram将会是16gb的ddr4及lpddr4x存储器。
接着，美光还将扩展三个10纳米级别节点：1 α，1 β和1 γ（注意，是希腊字母）
目前，美光公司正在加大其用于制造各种产品的第二代10nm级制造工艺（即1y nm），该工艺用于制造该公司的各种产品包括12 gb lpddr4x以及16 gb ddr4存储器件。
而美光的下一代1z nm正准备进入量产阶段，首批使用1znm制程来生产的dram将会是16gb的ddr4及lpddr4x存储器。然后用于生产16 gb lpddr5存储器件以及ddr5存储器件。
1z nm节点之后，美光计划开始使用其1αnm制造技术，接着是1βnm制造工艺，然后是1γnm技术的可行架构的验证。
来源：吴川斌的博客
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而通过美光的dram技术路线图显示，美光将继续扩展多个10纳米级节点，除了已经投产的第一代10纳米（1x）和第二代10纳米（1y），目前开始量产第三代10纳米（1z），首批使用1znm制程来生产的dram将会是16gb的ddr4及lpddr4x存储器。
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