传统封装工艺流程简介
在晶圆制作完成后，会出货给封装厂，封装厂再将一粒粒的芯片封装起来。我这里所说的传统封装是指以打线为主的封装方式，比如dip,qfp,sop,qfn等，不包括倒装。这里就简单介绍一下传统封装的工艺流程及工艺特点。
1，晶圆减薄（grind）
随着晶圆直径的增加，其厚度也相应增加。4inch晶圆一般厚度为525um，6寸为625um，8寸775um，12寸925um。过厚的芯片不仅不利于散热，还会导致封装尺寸过大。因此需要将晶圆减薄到50-200um。
晶圆减薄技术主要有：机械切削，化学机械抛光（cmp），湿法刻蚀，干法刻蚀等。
2，划片切割（dicing）
它将一个大的晶圆切割成许多单独的小块，每个小块是一个“芯片”（chip，die），这些芯片是单个集成电路的基本单位。目前比较常见的划片方式有三种：刀片切割，激光切割，等离子切割等。
刀片切割： 使用金刚石刀片进行物理切割。这是一种成本效益较高的传统方法，但会对芯片边缘造成机械应力，而产生崩边（正崩或背崩）。
激光切割： 使用高强度的激光精确切割晶圆。这种方法特别适用于处理薄晶圆或需要极高精度的场景。
等离子切割： 使用等离子体束进行切割，适用于复杂或敏感的集成电路。
3，芯片贴装（die attach）
它指的是将一粒粒的芯片固定在基板或框架上。贴装一般有三种方法：共晶法，焊接法，导电胶粘贴法等。
共晶法：利用au和si可形成共晶体的特点进行共晶熔接。
焊接法：用pb-sn合金薄膜作为中间层，在保护气氛中加热，进行熔融焊接。
导电胶粘贴法：将含有银粉的环氧树脂（银浆）涂敷在框架或基板上，再将芯片放置其上，固化后可以将芯片牢牢粘接。
4，打线键合（wb wire bonding）
主要是用超细的金属线（通常是金或铝线）将芯片上的电极连接到封装的框架或基板上。打线键合包括两种主要方法——热压键合和超声键合。不过在实际的生产中，会将热压与超声结合在一起使用。
5，塑封（molding）
塑封是为了保护和隔离芯片、金属引线、框架的内腿以及其他易受损的部分。塑封是将工件和树脂安装在模具中，加热模具，使树脂液化充满模具，降温保持一定时间后，树脂凝结为固态即可取出。取出后的固态树脂没有经过完全固化，还要在烘箱中进行完全的固化处理。
6，切筋（trimming）
引线框架的各腿是用筋连接着的，起支撑作用，塑封固化后，需要将其连筋切掉。
7，打标（marking）
在塑封的环氧树脂上打上产品型号，商标，批次等信息。
8，电镀外脚（plating）
对裸露在外的引线框架外脚电镀sn-pb合金，这样不仅可以提高外脚的抗氧化性，还有利于后续与印刷电路板的焊接。
9，成型
对外脚进行冲压弯曲，并切掉多余的部分，形成一粒粒的封装产品。
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2，划片切割（dicing）
它将一个大的晶圆切割成许多单独的小块，每个小块是一个“芯片”（chip，die），这些芯片是单个集成电路的基本单位。目前比较常见的划片方式有三种：刀片切割，激光切割，等离子切割等。
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共晶法：利用au和si可形成共晶体的特点进行共晶熔接。
焊接法：用pb-sn合金薄膜作为中间层，在保护气氛中加热，进行熔融焊接。
导电胶粘贴法：将含有银粉的环氧树脂（银浆）涂敷在框架或基板上，再将芯片放置其上，固化后可以将芯片牢牢粘接。
4，打线键合（wb wire bonding）
主要是用超细的金属线（通常是金或铝线）将芯片上的电极连接到封装的框架或基板上。打线键合包括两种主要方法——热压键合和超声键合。不过在实际的生产中，会将热压与超声结合在一起使用。
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6，切筋（trimming）
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