三星计划2021年量产GAA电晶体
三星电子(samsung electronics)计划于2021年量产finfet电晶体架构的后继产品——采用3nm制程节点的环绕式闸极(gate-all-around；gaa)电晶体。在上周二(5月22日)举行的年度代工技术论坛上，这家韩国巨擘重申将在今年下半年使用极紫外光(euv)微影开始7nm生产的计划。
自2000年代初以来，三星和其他公司一直在开发gaa技术。gaa电晶体是场效电晶体(fet)，在通道的四个侧面都有一个闸极，用于克服finfet的实体微缩和性能限制，包括供电电压。
samsung foundry市场副总裁ryan sanghyun lee表示，自2002年以来，三星专有的gaa技术被称为多桥通道fet (mbcfet)。据该公司介绍，mcbfet使用纳米片元件来增强闸极控制，显著提高电晶体的性能。
三星去年曾经说计划在2020年开始使用4nm节点的gaa电晶体。然而，业界观察家预计gaa要到2022年之后才能投产。
gartner的代工厂研究副总裁samuel wang预计，三星将在2022年左右正式量产gaa电晶体。wang说：「但看起来他们的进展速度比预期更快。」
kevin krewell 说：「三星的发展蓝图十分积极，我知道他们在euv上进展迅速，但也在这方面设置了很高的门槛。」
但是，krewell补充说：「仍然有其他转寰办法，而且时间表可能有所变动。」
去年6月，ibm与其研究联盟合作伙伴三星和globalfoundries在日本京都举办的2017年超大型积体电路技术和电路会议专题讨论会(2017 symposia on vlsi technology and circuits conference)上，描述他们为基于堆叠纳米片制造5nm gaa电晶体而开发的程。据了解，包括英特尔(intel)和台积电(tsmc)等其他晶片制造商正在开发越finfet但类似于gaa fet的自家下一代电晶体。
ibm和合作伙伴三星、globalfoundries打造采用gaa技术的5nm电晶体sem影像图
三星重申计画在今年下半年开始使用euv微影技术实现量产的计划，它将采用其7nm low power plus制程进行制造。三星预计将成为第一家将业界多年来寄予厚望的euv投入商业化生产的晶片制造商。台积电和globalfoundries宣布计画于2019年开始使用euv进行商业化生产。
虽然微影工具供应商asml和先进晶片制造商们证实能够克服多年来困扰euv发展的光源问题，但以商用量产部署euv所需的支援技术仍在开发和调整之中。
samsung foundry首席工程师yongjoo jeon表示，三星将使用内部开发的euv光罩检测工具。对于三星来说，这是一个重要的优势，因为还没有类似的商业工具被开发出来，jeon补充道。
jeon表示，三星将率先部署euv，但是在未采用保护euv光罩免受颗粒污染的防尘薄膜情况下，这是另一项仍在开发中的技术。jeon说，三星在euv薄膜开发方面正取得进展，而且他相信该公司最终可将该技术部署在自家euv的生产过程中。
三星也在开发euv微影光阻剂，并有望在今年稍晚达到大规模量产要求的目标良率，jeon说。
三星的制程技术蓝图还包括2019年的5nm finfet和2020年的4nm finfet生产制程。
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自2000年代初以来，三星和其他公司一直在开发gaa技术。gaa电晶体是场效电晶体(fet)，在通道的四个侧面都有一个闸极，用于克服finfet的实体微缩和性能限制，包括供电电压。
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三星去年曾经说计划在2020年开始使用4nm节点的gaa电晶体。然而，业界观察家预计gaa要到2022年之后才能投产。
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但是，krewell补充说：「仍然有其他转寰办法，而且时间表可能有所变动。」
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虽然微影工具供应商asml和先进晶片制造商们证实能够克服多年来困扰euv发展的光源问题，但以商用量产部署euv所需的支援技术仍在开发和调整之中。
samsung foundry首席工程师yongjoo jeon表示，三星将使用内部开发的euv光罩检测工具。对于三星来说，这是一个重要的优势，因为还没有类似的商业工具被开发出来，jeon补充道。
jeon表示，三星将率先部署euv，但是在未采用保护euv光罩免受颗粒污染的防尘薄膜情况下，这是另一项仍在开发中的技术。jeon说，三星在euv薄膜开发方面正取得进展，而且他相信该公司最终可将该技术部署在自家euv的生产过程中。
三星也在开发euv微影光阻剂，并有望在今年稍晚达到大规模量产要求的目标良率，jeon说。
三星的制程技术蓝图还包括2019年的5nm finfet和2020年的4nm finfet生产制程。
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