总电压采样电路中使用MOS作为开关的问题
使用高压mos作为开关，例如下图（来自于adi官网）ltc2949的典型应用电路中，使用高压mos作为绝缘检测的桥臂开关；选用高压mos的原因是成本相对比光mos要低。
在总电压采样中使用高压mos作为开关的常用原理简图如下：r1、r2为分压电阻，adc通过采集r1上面的电压来计算总压；其中nmos的位置和一般用法不同，它的s级没有直接接地，而是接到了采样电阻r1上；r3、r4为nmos的驱动分压电阻。
问题一：nmos驱动电压的选取
以st的高压mos（型号为std3n95k5ag）为例，如下图（来自于st官网）：其vds可最高承受950v的电压。
我们选用mos作为开关时，一般会查看其驱动的门限电压，如下图：vgs(th)在3v~5v之间，所以驱动电压要＞5v。
另外，为了尽量减小其导通时的电阻，避免造成采样误差，我们希望mos管处于饱和导通的状态，所以其驱动电压最好大于米勒平台电压，大概为8.5v。（关于米勒平台这里有挺多内容的，实话讲，我也掌握得不全面）
除此之外，还有一个地方容易忽略，就是采样电阻r1上面的分压，假如其在全电压范围内的分压最大为5v，那么mos的驱动电压也要把此部分计算进去，即最小的驱动电压为8.5v+5v=13.5v。
问题二：igss电流问题
mos管与三极管不同，它是电压驱动型，但并不意味着其g、s两端不需要消耗电流，只是一般将mos作为数字开关时这个基本没有影响；但是在今天这个应用中igs是不能被忽略的，下图中给出了此mos的最大igss：为±10ua，这个其实已经很大了。
具体地，如下图所示：这个电流igs也会流经采样电阻r1，必然会造成r1上的采样误差，尤其在高温情况下，igs会增大，造成采样误差也随之增加；这个误差是不能避免的，只能尽量去降低，一种解决方法是降低nmos的vgs驱动电压，调整到既能完全导通mos、又能满足精度要求的电压点。
问题三：idss电流问题
这个是指mos管在未导通时（vgs=0），ds两端的漏电流；此型号mos的idss如下图所示，高温下漏电流可达到50ua。
它的影响在于当我们未驱动mos管导通时，由于ids漏电流的存在，导致r1上面是有压降的，此时会采集到一个电压，但此时理论上电压应该为0v，这样就产生了矛盾，严重时会造成误判，例如当继电器后端的电压采样点，当继电器未闭合时，不应该采集到电压。
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另外，为了尽量减小其导通时的电阻，避免造成采样误差，我们希望mos管处于饱和导通的状态，所以其驱动电压最好大于米勒平台电压，大概为8.5v。（关于米勒平台这里有挺多内容的，实话讲，我也掌握得不全面）
除此之外，还有一个地方容易忽略，就是采样电阻r1上面的分压，假如其在全电压范围内的分压最大为5v，那么mos的驱动电压也要把此部分计算进去，即最小的驱动电压为8.5v+5v=13.5v。
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具体地，如下图所示：这个电流igs也会流经采样电阻r1，必然会造成r1上的采样误差，尤其在高温情况下，igs会增大，造成采样误差也随之增加；这个误差是不能避免的，只能尽量去降低，一种解决方法是降低nmos的vgs驱动电压，调整到既能完全导通mos、又能满足精度要求的电压点。
问题三：idss电流问题
这个是指mos管在未导通时（vgs=0），ds两端的漏电流；此型号mos的idss如下图所示，高温下漏电流可达到50ua。
它的影响在于当我们未驱动mos管导通时，由于ids漏电流的存在，导致r1上面是有压降的，此时会采集到一个电压，但此时理论上电压应该为0v，这样就产生了矛盾，严重时会造成误判，例如当继电器后端的电压采样点，当继电器未闭合时，不应该采集到电压。
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