思瑞浦推出多款隔离系列产品并获得客户认可与好评
思瑞浦秉承独立开发、自主创新的理念，自2019年深耕隔离技术以来，积累了丰富的发明专利，其中基础隔离、传输电路、工艺优化、新型封装等技术发明专利共计9项。截至目前，已推出多款隔离系列产品，获得客户认可与好评。
针对工厂自动化、电力自动化、电机驱动、电源控制、新能源、医疗等应用场景，思瑞浦隔离产品的隔离耐压等级达到5kvrms以上，esd静电保护达到±8kv， 防闩锁（latch up）能力高达800ma（高温125℃），性能与可靠性均处于领先。共模瞬态抑制（cmti）达到200kv/μs，思瑞浦隔离产品的cmti能力处于国际领先地位。
01
思瑞浦隔离产品特性
思瑞浦隔离系列产品，均采用自主专利的隔离ip，隔离产品具备如下特性：
工作电压范围：2.25v – 5.5v
通讯速率：100mbps data rate
低延时：12ns
耐压能力：5kv rms （wsop16）
抗浪涌能力：10kv peak （wsop16）
共模瞬态抑制能力：±200kv/μs cmti
宽温度范围：−40°c to +125°c
封装支持：sop8、wsop8、sop16、qsop16、wsop16
可靠性防护能力：
±8kv iec esd ±800ma latch up
完整安规认证报告：vde、ul、tuv、cqc、csa、cb
02
思瑞浦隔离产品优势
隔离器的核心指标：breakdown voltage
击穿电压breakdown voltage（bv）是隔离器的核心指标， 思瑞浦的隔离产品breakdown voltage达到10kv，处于国内领先水平。
表1：breakdown voltage 对比
国际先进的抗冲击保护能力
隔离产品的使用场景比较恶劣，经常会遇到静电和浪涌冲击，对隔离产品的防护能力提出了很高的要求，思瑞浦隔离产品具备±8kv ic esd和±6kv防浪涌能力（对应±10kv peak），处于国际先进水平。
表2：抗冲击保护能力对比
±200kv/μs国际领先共模瞬态抑制cmti能力
cmti即common mode transient immunity，共模瞬变抗扰度，衡量器件在共模电压瞬变时依然能够正常传输信号的能力，参数值是共模瞬变的最大slew rate，反映出隔离产品对共模瞬变干扰的抑制能力。如图1所示，为数字隔离器cmti测试模型框图。
图1： cmti测试模型
在电机驱动等典型应用中，使用pwm脉宽控制栅极驱动和mos fet，后者用来驱动电机。mos fet等功率器件往往工作在硬开关状态下，若使用普通的硅mos fet，产生的电压跳变（dv/dt）干扰通常在40kv/μs以内，大多数的隔离产品cmti都可以满足该需求。而同样参数的碳化硅/氮化镓器件，开关速度更快，特别是下降沿时会更加恶劣，在使用碳化硅mos fet时，所产生共模干扰的最大下降斜率会达到200kv/μs，因此要求隔离产品具备200kv/μs以上cmti能力。如图2模拟cmti下降沿测试电路，图3显示思瑞浦隔离器cmti达到200kv/us以上，表格3的数据也是基于此条件而得出。
图2：cmti下降沿测试电路
图3：cmti下降沿测试波形
表3：cmti性能对比
cmti分为静态和动态两种，静态cmti衡量输入稳定时抗共模电压瞬变干扰的能力，动态cmti的测试中共模电压瞬变出现在输入信号跳变的边沿处，情况更为恶劣。如果隔离产品的cmti能力不够，dv/dt干扰会对控制信号造成很大的影响。思瑞浦隔离产品具备 ±200kv/μs的静态cmti， 动态cmti也高达±150kv/μs，优于国内外同类产品，处于国际领先水平。
tddb测试展现高可靠性
经时击穿tddb（time dependent dielectric breakdown，）是业界通用的评测栅氧可靠性的实验方法，基于实验数据还可以建立栅氧使用寿命预测模型、栅氧不良品筛选模型等，满足器件的可靠性要求。思瑞浦针对隔离器件建立了高压tddb实验室，通过高压高温加速，测量大量样品数据，长时间测量的方式严格评测隔离器件tddb数据。如下tddb结果表明思瑞浦隔离器件可以稳定工作超过100年。
安规认证是帮助证明了隔离芯片在0时刻的安全等级，并不能证明隔离芯片在10年，甚至20年后的工作状态，而vde0884-11规范明确要求viowm（隔离芯片的工作耐压）必须经过tddb验证才能标识。因此工程师在选型时隔离芯片时，推荐选择viowm 完成tddb测试的型号。
思瑞浦隔离产品是完全独立开发，并拥有自主专利，具备高隔离电压，高抗冲击能力，相关技术指标处于国内领先、国际先进水平，可以满足大多数工业应用场景的可靠性需求。隔离耐压等级高、静电保护与浪涌防护能力强、±200kv/μs国际领先的cmti能力，全系列产品经过tddb严格测试，特别适合各种新能源等应用场景，尤其是满足第三代功率半导体碳化硅/氮化镓的设计需求。应用在工厂自动化、电力自动化、电机驱动、电源控制、新能源、医疗等场景，能保证足够的设计余量，提高系统的鲁棒性。
思瑞浦今年将持续推出更多的隔离系列产品：隔离运放、隔离驱动、隔离电源等，敬请期待！
人工智能和芯片领域的竞争
有着倒闭和宕机的风险，云服务到底靠不靠谱
KDZD608A屏蔽服效率测试装置
美国商务部禁止下载微信和TikTok
AI电动汽车闪耀日内瓦车展
思瑞浦推出多款隔离系列产品并获得客户认可与好评
曝中国特供版Navi14显卡定位与RX570差不多
NFC的四大功能
中美贸易战对立讯等多家连接器企业产生巨大影响
三星全新Galaxy系列体验报告：旗舰品质，强悍多能
扬州市一次跨省市干扰查找
PTFE共混、填充改性方法
新型功率半导体结构使可持续能源成为可能
AI是游戏规则改写者 人才短缺问题日益凸显
微机检测与转换—数据采集处理
响应“数字南网”建设长亭科技护航能源产业新生态
UPS标准中功率因数的概念
功率放大器基于音圈电机试验系统设计中的应用
Fove以创新打造技术核心 索尼VR又遇强劲对手？
5G将推动新一轮换机潮，供应链红利时期即将到来
针对工厂自动化、电力自动化、电机驱动、电源控制、新能源、医疗等应用场景，思瑞浦隔离产品的隔离耐压等级达到5kvrms以上，esd静电保护达到±8kv， 防闩锁（latch up）能力高达800ma（高温125℃），性能与可靠性均处于领先。共模瞬态抑制（cmti）达到200kv/μs，思瑞浦隔离产品的cmti能力处于国际领先地位。
01
思瑞浦隔离产品特性
思瑞浦隔离系列产品，均采用自主专利的隔离ip，隔离产品具备如下特性：
工作电压范围：2.25v – 5.5v
通讯速率：100mbps data rate
低延时：12ns
耐压能力：5kv rms （wsop16）
抗浪涌能力：10kv peak （wsop16）
共模瞬态抑制能力：±200kv/μs cmti
宽温度范围：−40°c to +125°c
封装支持：sop8、wsop8、sop16、qsop16、wsop16
可靠性防护能力：
±8kv iec esd ±800ma latch up
完整安规认证报告：vde、ul、tuv、cqc、csa、cb
02
思瑞浦隔离产品优势
隔离器的核心指标：breakdown voltage
击穿电压breakdown voltage（bv）是隔离器的核心指标， 思瑞浦的隔离产品breakdown voltage达到10kv，处于国内领先水平。
表1：breakdown voltage 对比
国际先进的抗冲击保护能力
隔离产品的使用场景比较恶劣，经常会遇到静电和浪涌冲击，对隔离产品的防护能力提出了很高的要求，思瑞浦隔离产品具备±8kv ic esd和±6kv防浪涌能力（对应±10kv peak），处于国际先进水平。
表2：抗冲击保护能力对比
±200kv/μs国际领先共模瞬态抑制cmti能力
cmti即common mode transient immunity，共模瞬变抗扰度，衡量器件在共模电压瞬变时依然能够正常传输信号的能力，参数值是共模瞬变的最大slew rate，反映出隔离产品对共模瞬变干扰的抑制能力。如图1所示，为数字隔离器cmti测试模型框图。
图1： cmti测试模型
在电机驱动等典型应用中，使用pwm脉宽控制栅极驱动和mos fet，后者用来驱动电机。mos fet等功率器件往往工作在硬开关状态下，若使用普通的硅mos fet，产生的电压跳变（dv/dt）干扰通常在40kv/μs以内，大多数的隔离产品cmti都可以满足该需求。而同样参数的碳化硅/氮化镓器件，开关速度更快，特别是下降沿时会更加恶劣，在使用碳化硅mos fet时，所产生共模干扰的最大下降斜率会达到200kv/μs，因此要求隔离产品具备200kv/μs以上cmti能力。如图2模拟cmti下降沿测试电路，图3显示思瑞浦隔离器cmti达到200kv/us以上，表格3的数据也是基于此条件而得出。
图2：cmti下降沿测试电路
图3：cmti下降沿测试波形
表3：cmti性能对比
cmti分为静态和动态两种，静态cmti衡量输入稳定时抗共模电压瞬变干扰的能力，动态cmti的测试中共模电压瞬变出现在输入信号跳变的边沿处，情况更为恶劣。如果隔离产品的cmti能力不够，dv/dt干扰会对控制信号造成很大的影响。思瑞浦隔离产品具备 ±200kv/μs的静态cmti， 动态cmti也高达±150kv/μs，优于国内外同类产品，处于国际领先水平。
tddb测试展现高可靠性
经时击穿tddb（time dependent dielectric breakdown，）是业界通用的评测栅氧可靠性的实验方法，基于实验数据还可以建立栅氧使用寿命预测模型、栅氧不良品筛选模型等，满足器件的可靠性要求。思瑞浦针对隔离器件建立了高压tddb实验室，通过高压高温加速，测量大量样品数据，长时间测量的方式严格评测隔离器件tddb数据。如下tddb结果表明思瑞浦隔离器件可以稳定工作超过100年。
安规认证是帮助证明了隔离芯片在0时刻的安全等级，并不能证明隔离芯片在10年，甚至20年后的工作状态，而vde0884-11规范明确要求viowm（隔离芯片的工作耐压）必须经过tddb验证才能标识。因此工程师在选型时隔离芯片时，推荐选择viowm 完成tddb测试的型号。
思瑞浦隔离产品是完全独立开发，并拥有自主专利，具备高隔离电压，高抗冲击能力，相关技术指标处于国内领先、国际先进水平，可以满足大多数工业应用场景的可靠性需求。隔离耐压等级高、静电保护与浪涌防护能力强、±200kv/μs国际领先的cmti能力，全系列产品经过tddb严格测试，特别适合各种新能源等应用场景，尤其是满足第三代功率半导体碳化硅/氮化镓的设计需求。应用在工厂自动化、电力自动化、电机驱动、电源控制、新能源、医疗等场景，能保证足够的设计余量，提高系统的鲁棒性。
思瑞浦今年将持续推出更多的隔离系列产品：隔离运放、隔离驱动、隔离电源等，敬请期待！
人工智能和芯片领域的竞争
有着倒闭和宕机的风险，云服务到底靠不靠谱
KDZD608A屏蔽服效率测试装置
美国商务部禁止下载微信和TikTok
AI电动汽车闪耀日内瓦车展
思瑞浦推出多款隔离系列产品并获得客户认可与好评
曝中国特供版Navi14显卡定位与RX570差不多
NFC的四大功能
中美贸易战对立讯等多家连接器企业产生巨大影响
三星全新Galaxy系列体验报告：旗舰品质，强悍多能
扬州市一次跨省市干扰查找
PTFE共混、填充改性方法
新型功率半导体结构使可持续能源成为可能
AI是游戏规则改写者 人才短缺问题日益凸显
微机检测与转换—数据采集处理
响应“数字南网”建设长亭科技护航能源产业新生态
UPS标准中功率因数的概念
功率放大器基于音圈电机试验系统设计中的应用
Fove以创新打造技术核心 索尼VR又遇强劲对手？
5G将推动新一轮换机潮，供应链红利时期即将到来